[發明專利]具有偏移通孔的集成電路封裝

在審

• 申請號: 201811602711.0
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN110060977A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 邁克爾·卓穎·蘇;雷富;弗蘭克·庫徹梅斯特
• 申請（專利權）人: 超威半導體公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/31;H01L21/768
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

1.一種集成電路封裝，其包括：

半導體芯片，在其上形成集成電路；

至少一個襯墊，其與所述集成電路電連通；

絕緣層，其上覆于所述半導體芯片，所述絕緣層具有用于將所述半導體芯片附接到襯底的附著面；

至少一個通孔，其從所述附著面延伸通過所述絕緣層至所述襯墊，所述通孔包括接近所述襯墊的第一通孔開口和從所述附著面延伸的第二通孔開口并且具有金屬內層，其中所述第二通孔開口的中心在遠離所述半導體芯片的中心的方向上橫向偏離所述第一通孔開口的中心；

襯底；

容納在所述通孔中并且從所述附著面延伸至所述襯底的焊料凸塊，其用于使所述襯墊與所述襯底機械地并電氣地互連，并且將所述半導體芯片附接到所述襯底；

其中所述通孔包括沿第一縱軸延伸遠離所述襯墊的第一通孔部分和沿第二縱軸延伸遠離所述附著面的第二通孔部分，其中所述第二縱軸在遠離所述半導體芯片的中心的方向上橫向偏離所述第一縱軸的中心；

其中所述絕緣層包括第一子層和第二子層，所述第一通孔部分延伸通過所述第一子層且所述第二通孔部分延伸通過所述第二子層。

2.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中所述第二縱軸沿通過所述半導體芯片的所述中心和所述第一縱軸的線向外偏離所述第一縱軸。

3.根據權利要求1所述的集成電路封裝，其中所述第一縱軸在遠離所述半導體芯片的所述中心的方向上橫向偏離所述襯墊的中心。

4.一種制造包括半導體芯片的集成電路晶片的方法，所述半導體芯片具有在其上形成的集成電路和與所述集成電路電連通的至少一個襯墊，所述方法包括：

形成上覆于所述半導體芯片的第一絕緣層；

形成沿第一縱軸從所述襯墊延伸通過所述第一絕緣層的第一通孔；

形成上覆于所述第一絕緣層的第二絕緣層；

形成與所述第一通孔連通的第二通孔，所述第二通孔沿第二縱軸從用于將所述集成電路晶片附接到襯底的附著面延伸通過所述第二絕緣層，所述第二縱軸在遠離所述晶片的中心的方向上偏離所述第一縱軸；以及

至少在所述第一通孔和所述第二通孔內沉積金屬層。

5.根據權利要求4所述的方法，其還包括：

在所述第一通孔和第二通孔中沉積可流動的、用于形成焊料凸塊的金屬互連結構；

倒置所述集成電路晶片；以及

通過所述互連結構的方式使所述集成電路晶片與所述襯底互連。

6.一種集成電路晶片，其包括：

半導體芯片，其上具有集成電路；

多個襯墊，其與所述集成電路電連通；

絕緣層，其上覆于所述集成電路晶片，所述絕緣層具有用于將所述半導體芯片附接到襯底的附著面；

多個通孔，所述通孔的每一個延伸通過所述絕緣層至所述襯墊的對應一個以容納焊料凸塊從而使所述集成電路晶片與襯底互連；

其中所述通孔的每一個具有接近所述半導體芯片的第一開口和從所述附著面延伸的第二開口并且具有金屬內層，并且所述第二開口的中心比所述第一開口的中心距離所述集成電路晶片的中心更遠；

其中所述通孔中的每一個包括沿第一縱軸延伸遠離所述襯墊的第一通孔部分和沿第二縱軸延伸遠離所述附著面的第二通孔部分，其中所述第二縱軸在遠離所述半導體芯片的中心的方向上橫向偏離所述第一縱軸的中心；

其中所述絕緣層包括第一子層和第二子層，所述第一通孔部分延伸通過所述第一子層且所述第二通孔部分延伸通過所述第二子層。