[發明專利]一種注塑成型裝置及封裝結構在審
| 申請號: | 201811602362.2 | 申請日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN109616424A | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 劉孟彬 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;B29C45/14;B29C45/26;B29L31/34 |
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| 地址: | 315803 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 塑封料 芯片 上模具 封裝結構 功能區 隔離 注塑成型裝置 鍵合引線 透光組件 下模具 基板 凸塊 成型過程 連接基板 生產效率 注塑型腔 損壞率 包覆 頂面 合模 成型 密封 擠壓 外圍 | ||
本發明公開了一種注塑成型裝置及封裝結構,包括:上模具和下模具,下模具和上模具合模后形成注塑型腔;上模具設有基座以及突出于基座的凸塊,凸塊背向基座的面上設有凹槽,凹槽用于密封需要與塑封料隔離的芯片部分;封裝結構包括:基板,芯片設置在基板的頂面,芯片包括功能區及設于功能區上方的透光組件,芯片通過功能區外圍的鍵合引線連接基板,鍵合引線由塑封料包覆,塑封料與透光組件之間設有間隙。本發明通過上模具設有凹槽,避免了需要與塑封料隔離的芯片部分表面與塑封料的接觸,使塑封料成型過程中需要與塑封料隔離的芯片部分表面不受擠壓,從而降低了塑封料成型時需要與塑封料隔離的芯片部分損壞率,提高了生產效率。
技術領域
本發明屬于集成電路制造工藝領域,更具體地,涉及一種注塑成型裝置及封裝結構。
背景技術
在半導體制造領域中,COB工藝是一種常用的工藝方法,但是目前,COB工藝中注塑成型制造過程中模具與芯片的表面完全接觸,由于塑封料與芯片表面(例如,透光組件等材料)的CET(熱膨脹系數)不同,且芯片表面與塑封料接觸導致塑封料固化時擠壓芯片表面,從而造成芯片表面的應力損傷。例如,在芯片表面為透光組件的情況下,傳統工藝使注塑成型脫模后透光組件裂片率高達50%,降低了生產效率,浪費了生產材料。因此,迫切地需要一種方法可以降低COB工藝中注塑成型的芯片表面裂片率。
發明內容
本發明的目的是提出一種注塑成型裝置及封裝結構,用以降低COB工藝中需要與塑封料隔離的芯片部分損壞率。
為了實現上述目的,本發明提供一種注塑成型裝置,包括:
上模具和下模具,所述下模具和上模具合模后形成注塑型腔;
所述上模具設有基座以及突出于所述基座的凸塊,所述凸塊背向所述基座的面上設有凹槽,所述凹槽用于密封需要與塑封料隔離的芯片部分。
可選的,所述凹槽的縱向深度范圍為50μm~1000μm。
可選的,所述凸塊遠離基座的一端,設有由外表面向端面的倒角。
可選的,所述凹槽包括方體或圓柱體。
本發明還提供一種封裝結構,包括:基板,芯片設置在所述基板的頂面,所述芯片包括功能區及設于所述功能區上方的透光組件,所述芯片通過功能區外圍的鍵合引線連接所述基板,所述鍵合引線由塑封料包覆,所述塑封料與所述透光組件之間設有間隙。
可選的,所述透光組件與所述塑封料的熱膨脹系數不同。
可選的,所述芯片功能區與鍵合引線之間區域設有圍堰,所述透光組件粘合在所述圍堰上。
可選的,所述透光組件包括濾光片、石英、玻璃鋼、藍寶石的一種或組合。
可選的,所述基板包括PCB板。
可選的,所述圍堰與所述塑封料之間設有間隙。
本發明的有益效果在于:本發明的注塑成型裝置及封裝結構通過在上模具設置基座以及突出于基座的凸塊,凸塊背向基座的面上設有凹槽,將需要與塑封料隔離的芯片部分放置在上模具的凹槽內,避免了需要與塑封料隔離的芯片部分與塑封料的接觸,使塑封料成型過程中需要與塑封料隔離的芯片部分不受擠壓,從而降低了COB工藝注塑成型過程中需要與塑封料隔離的芯片部分的損壞率,提高了生產效率,節約了生產成本。
本發明的工具具有其它的特性和優點,這些特性和優點從并入本文中的附圖和隨后的具體實施例中將是顯而易見的,或者將在并入本文中的附圖和隨后的具體實施例中進行詳細陳述,這些附圖和具體實施例共同用于解釋本發明的特定原理。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





