[發(fā)明專利]一種頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811600577.0 | 申請日： | 2018-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN109713159A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝孟坤;魏斌;嚴(yán)利民;劉心元;譚紅斌;薛永站 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海晶合光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 杜陽陽 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機電致發(fā)光器件 頂電極 光刻膠 圖案化 電子注入層 導(dǎo)電模塊 底電極 模塊化 蒸鍍 制備 電子傳輸層 空穴傳輸層 空穴注入層 圖案化金屬 有機發(fā)光層 清潔處理 工藝流程 膠處理 電極 分塊 旋涂 清潔 節(jié)約 | ||
1.一種頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括：
對ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行清潔處理；
在清潔后的ITO導(dǎo)電玻璃表面旋涂光刻膠，使所述光刻膠完全覆蓋于所述ITO導(dǎo)電玻璃表面，得到光刻膠處理后的ITO導(dǎo)電玻璃；
對所述光刻膠處理后的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行分塊化處理，將所述ITO導(dǎo)電玻璃分成多個ITO導(dǎo)電模塊，得到模塊化底電極；
在所述模塊化底電極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
對每一ITO導(dǎo)電模塊的電子注入層上蒸鍍圖案化金屬電極，得到頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述對所述光刻膠處理后的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行分塊化處理，具體包括：
對所述光刻膠處理后的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行前烘處理；
在前烘處理后的ITO導(dǎo)電玻璃的上方放置掩模版；所述掩模版包括遮光區(qū)和曝光區(qū)，所述掩模版的遮光區(qū)和曝光區(qū)的分布情況根據(jù)待分塊處理的ITO導(dǎo)電玻璃中各個ITO導(dǎo)電模塊的大小和形狀確定；
對放置掩模版的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行曝光處理，得到曝光處理后的ITO導(dǎo)電玻璃；
對所述曝光處理后的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行后烘處理；
用顯影液去除后烘處理后的ITO導(dǎo)電玻璃曝光區(qū)域的光刻膠；
刻蝕曝光區(qū)域的ITO，得到刻蝕處理后的ITO導(dǎo)電玻璃；
用丙酮清洗所述刻蝕處理后的ITO導(dǎo)電玻璃遮光區(qū)域的光刻膠，得到模塊化底電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述用顯影液去除后烘處理后的ITO導(dǎo)電玻璃曝光區(qū)域的光刻膠，具體包括：將所述后烘處理后的ITO導(dǎo)電玻璃置于顯影液中浸泡，并對顯影液浸泡后的ITO導(dǎo)電玻璃用去離子水沖洗，得到去除曝光部分光刻膠的ITO導(dǎo)電玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述刻蝕曝光區(qū)域的ITO，具體包括：使用王水刻蝕曝光區(qū)域的ITO。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述對所述光刻膠處理后的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行分塊化處理，還包括：得到所述模塊化底電極后，在所述模塊化底電極的每個ITO導(dǎo)電模塊的ITO邊緣印刷導(dǎo)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述對每一ITO導(dǎo)電模塊的電子注入層上蒸鍍圖案化金屬電極，具體包括：采用圖案化的金屬掩膜板對每一ITO導(dǎo)電模塊的電子注入層上蒸鍍圖案化金屬電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述對ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行清潔處理，具體包括：
將所述ITO導(dǎo)電玻璃放入洗潔精清洗液中超聲清洗90min；
在所述洗潔精清洗液中加入去離子水，繼續(xù)超聲清洗90min；
在所述加入去離子水的洗潔精清洗液中加入丙酮，繼續(xù)超聲清洗90min；
在所述加入丙酮的洗潔精清洗液中加入異丙酮，繼續(xù)超聲清洗90min；
對異丙酮清洗后的ITO導(dǎo)電玻璃進(jìn)行烤干處理，得到清潔后的ITO導(dǎo)電玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層厚度為140-160nm；所述旋涂后的光刻膠的厚度為190-210nm；所述空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的總厚度為90-110nm；所述蒸鍍圖案化金屬電極為鋁、銀、銅中的一種，所述蒸鍍圖案化金屬電極的厚度為190-210nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述前烘處理的溫度為125℃，前烘處理時間為90s；所述后烘處理的溫度為130℃，后烘處理時間為90s。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的頂電極圖案化有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，ITO導(dǎo)電玻璃置于顯影液中浸泡時間為60s。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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