[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811600286.1
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN110828389A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 片岡忠
• 申請（專利權(quán)）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

基板，具有第1面、該第1面的相反側(cè)的第2面、及從所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即側(cè)面；

焊墊電極，設(shè)置在所述基板的第1面?zhèn)龋?/p>

內(nèi)部布線，設(shè)置在所述基板內(nèi)，并電連接在所述焊墊電極；

第1布線，設(shè)置在所述基板內(nèi)，并在所述側(cè)面從所述基板露出；

絕緣物，設(shè)置在所述第1布線與所述內(nèi)部布線之間，將所述第1布線與所述內(nèi)部布線之間分離；

半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述第1面，并電連接在所述焊墊電極；以及

第1樹脂，被覆所述半導(dǎo)體芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述焊墊電極具有設(shè)置在焊墊電極上的金屬鍍覆膜，

所述第1布線是用來對所述焊墊電極表面的所述金屬膜進行電鍍處理的鍍覆布線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1布線為電性浮動狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述基板在所述第1布線與所述內(nèi)部布線之間具有凹部，

所述第1布線在所述凹部內(nèi)的切斷面與所述絕緣物接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第1布線設(shè)置在相比于所述第2面更靠所述第1面，

所述絕緣物為所述第1樹脂。

6.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

基板，具有第1面、該第1面的相反側(cè)的第2面、及從所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即側(cè)面；

焊墊電極，設(shè)置在所述基板的第1面，且具有金屬鍍覆膜；

內(nèi)部布線，設(shè)置在所述基板內(nèi)，且電連接在所述焊墊電極；

第1布線，在所述基板內(nèi)設(shè)置在相比于所述第2面更靠所述第1面，在所述側(cè)面從所述基板露出，且處于電性浮動狀態(tài)；

絕緣物，在將所述第1布線與所述內(nèi)部布線分離的凹部內(nèi)的切斷面與所述第1布線及所述內(nèi)部布線接觸；

半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述第1面，且電連接在所述焊墊電極；

第1樹脂，被覆所述半導(dǎo)體芯片；以及

所述第2面的端子，與所述內(nèi)部布線電連接。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

準(zhǔn)備具有第1面及該第1面的相反側(cè)的第2面，在所述第1面與所述第2面之間形成著內(nèi)部布線，在所述第1面具有與所述內(nèi)部布線電連接的焊墊電極的基板、

將多個所述基板物理連接且相鄰的所述基板彼此通過與所述內(nèi)部布線電連接的第1布線電連接的區(qū)塊、及

將多個所述區(qū)塊物理連接且相鄰的所述區(qū)塊彼此通過與所述第1布線電連接且一部分露出至外部的第2布線電連接的基板面板；

對所述第2布線施加電流，而在所述焊墊電極形成金屬膜；

在所述基板形成將所述第1布線與所述內(nèi)部布線分離的凹部；

將所述面板切斷并分離成所述區(qū)塊；

在所述基板積層與所述焊墊電極電連接的半導(dǎo)體芯片；

利用樹脂被覆所述基板與所述半導(dǎo)體芯片；以及

將所述區(qū)塊切斷并分離成所述基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述凹部是通過蝕刻形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述內(nèi)部布線包含銅，

在所述第2面設(shè)置著與所述內(nèi)部布線電連接的端子。