[發明專利]襯底處理裝置、半導體裝置的制造方法及被加工襯底

在審

• 申請號: 201811599397.5
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN110911306A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 伊藤冬馬;吉水康人;北川白馬
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/317
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

本發明的實施方式提供一種能夠適當地抑制襯底的翹曲的襯底處理裝置、半導體裝置的制造方法及被加工襯底。一實施方式的襯底處理裝置具備襯底保持部，該襯底保持部保持設有膜的襯底。所述裝置還具備膜處理部，該膜處理部基于所述襯底的翹曲，以所述膜包含具有第1膜質或膜厚的第1區域和具有與所述第1膜質或膜厚不同的第2膜質或膜厚的第2區域的方式對所述膜進行處理，抑制所述襯底的翹曲。

[相關申請案]

本申請案享有將日本專利申請案2018-172284號(申請日：2018年9月14日)作為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種襯底處理裝置、半導體裝置的制造方法及被加工襯底。

背景技術

有通過在晶片的單面形成膜來抑制晶片的翹曲的情況。

發明內容

實施方式提供一種能夠適當地抑制襯底的翹曲的襯底處理裝置、半導體裝置的制造方法及被加工襯底。

實施方式的襯底處理裝置具備襯底保持部，該襯底保持部保持設有膜的襯底。所述裝置還具備膜處理部，該膜處理部基于所述襯底的翹曲，以所述膜包含具有第1膜質或膜厚的第1區域和具有與所述第1膜質或膜厚不同的第2膜質或膜厚的第2區域的方式對所述膜進行處理，抑制所述襯底的翹曲。

附圖說明

圖1是示意性地表示第1實施方式的襯底處理裝置的構成的剖視圖。

圖2(a)～(c)、圖3(a)～(c)及圖4(a)～(c)是用來說明第1實施方式的晶片處理方法的圖。

圖5是示意性地表示第1實施方式的半導體制造系統的構成的剖視圖。

圖6是用來說明第1實施方式的變化例的晶片處理方法的圖。

圖7是示意性地表示第2實施方式的襯底處理裝置的構成的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在圖1～圖7中，對相同或類似的構成標注相同的符號，并省略重復的說明。

(第1實施方式)

圖1是示意性地表示第1實施方式的襯底處理裝置的構成的剖視圖。圖1的襯底處理裝置例如為利用等離子體對設置在晶片1的膜2進行處理的等離子體處理裝置。

晶片1例如為硅晶片等半導體晶片。晶片1為襯底的例子。晶片1具有形成著或待形成器件的第1面S1、及形成著用于抑制晶片1的翹曲的膜2的第2面S2。膜2例如為硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜、金屬膜等。膜2可以是以抑制翹曲為目的而形成在晶片1的膜，也可以是因其他目的而形成在晶片1的膜。

圖1示出與晶片1的第1面S1或第2面S2的中心區域大致平行且相互垂直的X方向及Y方向、及與晶片1的第1面S1或第2面S2的中心區域大致垂直的Z方向。本說明書中，將+Z方向作為上方向處理，將-Z方向作為下方向處理。-Z方向可以與重力方向一致，也可以不與重力方向一致。Y方向為第1方向的例子，X方向為第2方向的例子。

圖1的襯底處理裝置具備晶片保持部11、翹曲測定部12、等離子體照射部13及控制部14。晶片保持部11為襯底保持部的例子。等離子體照射部13與控制部14為膜處理部的例子。

晶片保持部11保持設有膜2的晶片1，例如保持晶片1的斜面。晶片1的斜面為襯底的端部的例子。本實施方式的膜2是在利用晶片保持部11保持晶片1之前形成在晶片1，但也可以在利用晶片保持部11保持晶片1的狀態下形成在晶片1。