[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導體裝置的制造方法及被加工襯底

在審

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• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN110911306A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設計）人: 伊藤冬馬;吉水康人;北川白馬
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/317
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種襯底處理裝置，具備：

襯底保持部，保持設有膜的襯底；及

膜處理部，基于所述襯底的翹曲，以所述膜包含具有第1膜質(zhì)或膜厚的第1區(qū)域和具有與所述第1膜質(zhì)或膜厚不同的第2膜質(zhì)或膜厚的第2區(qū)域的方式對所述膜進行處理，抑制所述襯底的翹曲。

2.根據(jù)權利要求1所述的襯底處理裝置，其中所述第1區(qū)域對所述襯底在第1方向上施加壓縮應力及拉伸應力的其中一個，所述第2區(qū)域對所述襯底在至少與所述第1方向不同的第2方向上施加壓縮應力及拉伸應力的另一個。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中所述第1區(qū)域抑制所述襯底沿第1方向翹曲成向上凸起的形狀及向下凸起的形狀的其中一個，所述第2區(qū)域抑制所述襯底沿至少與所述第1方向不同的第2方向翹曲成向上凸起的形狀及向下凸起的形狀的另一個。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其還具備測定所述襯底的翹曲的翹曲測定部，且

所述膜處理部基于通過所述翹曲測定部所測定的所述襯底的翹曲，對所述膜進行處理。

5.根據(jù)權利要求4所述的襯底處理裝置，其中所述翹曲測定部通過對所述襯底照射光，并對從所述襯底反射的所述光進行檢測，而測定所述襯底的翹曲。

6.根據(jù)權利要求4所述的襯底處理裝置，其中所述翹曲測定部是設置在所述襯底保持部的位置感測器。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中所述膜處理部是以使所述膜局部地氧化、氮化、或多孔化、或者使所述膜的膜厚局部地增加或減少的方式對所述膜進行處理。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中所述膜處理部包含對所述膜照射等離子體的等離子體照射部。

9.根據(jù)權利要求8所述的襯底處理裝置，其中所述等離子體照射部基于所述襯底的翹曲決定所述等離子體的照射位置及照射條件，并基于所決定的所述照射位置及所述照射條件對所述膜照射所述等離子體。

10.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中所述膜處理部包含能夠與所述膜接觸的金屬構件。

11.根據(jù)權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其中所述襯底保持部保持所述襯底的端部。

12.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：

保持設有膜的襯底；及

基于所述襯底的翹曲，以所述膜包含具有第1膜質(zhì)或膜厚的第1區(qū)域和具有與所述第1膜質(zhì)或膜厚不同的第2膜質(zhì)或膜厚的第2區(qū)域的方式對所述膜進行處理，使所述襯底的翹曲變化。

13.一種被加工襯底，具備：

襯底；以及

膜，設置在所述襯底的一面，且包含對所述襯底在第1方向上施加壓縮應力及拉伸應力的其中一個的第1區(qū)域、及對所述襯底在至少與所述第1方向不同的第2方向上施加壓縮應力及拉伸應力的另一個的第2區(qū)域。