[發明專利]一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法

有效

• 申請號: 201811597810.4
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109686654B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 蔣曉倩;高攀;李佐;馮華;李瀾濤;林宗芳;鐘偉;熊民權;趙宗盛
• 申請（專利權）人: 上海芯鈦信息科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/28
• 代理公司: 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225
• 代理人: 邱軼

本發明公開一種改善Lift?off工藝劃片道形貌的方法，包括：在襯底上形成有劃片道凹槽的面上涂負膠層；對負膠層曝光并顯影，形成完全覆蓋劃片道凹槽的負膠層；在襯底及負膠層上表面蒸發金屬膜；去除負膠層上的金屬膜及負膠層；形成透過金屬膜暴露于外界環境的劃片道凹槽。該方案解決了劃片道金屬膜層斷裂導致封裝成品率低的問題，改善劃片道形貌，提高封裝成品率。

技術領域

本發明涉及肖特基半導體制造工藝技術領域，尤其是一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法。

背景技術

肖特基芯片制造工藝中，為了滿足封裝要求，利用Lift-off工藝在原有的正面Al電極基礎上增加Ti/Ni/Ag金屬層。現有技術通常采用負膠與產品的Metal正膠版來實現Lift-off工藝，產品Metal正膠版曝光后，負膠形貌頂部尺寸與劃片道尺寸相近，劃片道兩側與負膠之間形成間隙10，參見圖1；劃片道兩側因沒有負膠覆蓋導致在蒸發Ti/Ni/Ag時，部分金屬蒸發到了劃片道兩側，在具有臺階差的負膠上形成了具有臺階差的金屬層20，參見圖2；后續利用藍膜粘性將負膠上的金屬隨藍膜一起撕掉，最后用丙酮去除負膠，從而實現特定區域Ti/Ni/Ag的蒸發，參見圖3，在后段劃片時，劃片道兩側的Ti/Ni/Ag會通過管芯邊緣30與襯底40相連，金屬相連會造成肖特基器件正反極相連短路，從而降低產品封裝成品率。

發明內容

本發明提供一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，用于克服現有技術中封裝成品率較低等缺陷，通過改善Lift-off工藝劃片道形貌，從而提高產品的封裝成品率。

為實現上述目的，本發明提出一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，包括：

步驟1，在襯底上形成有劃片道凹槽的面上涂負膠層；

步驟2，對負膠層曝光并顯影，形成完全覆蓋劃片道凹槽的負膠層；

步驟3，在襯底及負膠層上表面蒸發金屬膜；

步驟4，去除負膠層上的金屬膜及負膠層；

步驟5，形成透過金屬膜暴露于外界環境的劃片道凹槽。

本發明提供的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，通過對負膠層曝光并顯影，形成完全覆蓋劃片道凹槽的負膠層；負膠層與劃片道凹槽之間沒有間隙，蒸發金屬膜后，金屬膜不會形成在劃片道凹槽內，在去除負膠層后，形成形貌整潔的劃片道，在后續的切割及封裝過程中不存在金屬膜的斷裂，從而提高封裝成品率，并且形成上述完全覆蓋劃片道凹槽的負膠層的手段極其簡單，只需要增加一張光刻版，該光刻版的管芯邊緣的尺寸根據前面在襯底上形成劃片道凹槽工藝中使用的光刻版統一縮小一個預定的尺寸(例如5～15um)即可，從而讓負膠可以覆蓋到管芯邊緣近5～15um，工藝上易于實施。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖示出的結構獲得其他的附圖。

圖1為現有技術中在襯底上形成負膠層的結構示意圖；

圖2為圖1中的結構在蒸發工藝后形成的金屬膜覆蓋結構；

圖3為圖2中的結構在去除負膠層后形成的結構示意圖；

圖4發明實施例一提供的改善工藝中在襯底上涂負膠的結構示意圖；

圖5為對圖4中的負膠光刻工藝中曝光的示意圖；

圖6為在襯底上形成負膠層的結構示意圖；

圖7為圖6中的結構在蒸發工藝后形成的金屬膜覆蓋結構；

圖8為圖7中的結構在貼藍膜后的結構示意圖；