[發(fā)明專利]一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811597810.4
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109686654B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣曉倩;高攀;李佐;馮華;李瀾濤;林宗芳;鐘偉;熊民權(quán);趙宗盛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海芯鈦信息科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/28
• 代理公司: 長沙國科天河知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 43225
• 代理人: 邱軼

1.一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，包括：

步驟1，在襯底上形成有劃片道凹槽的面上涂負膠層；

步驟2，對負膠層曝光并顯影，形成完全覆蓋劃片道凹槽的負膠層；

步驟3，在襯底及負膠層上表面蒸發(fā)金屬膜；

步驟4，去除負膠層上的金屬膜及負膠層；

步驟5，形成透過金屬膜暴露于外界環(huán)境的劃片道凹槽；

所述步驟2包括：

步驟21，將負膠光刻版放置于負膠層上方；

步驟22，在負膠光刻版上方照射預(yù)定波長范圍的光，光透過光刻版上的透光區(qū)域?qū)ω撃z層照射；

步驟23，負膠層接受光照后，將襯底及負膠層均放置顯影液中，未被照射的區(qū)域的負膠層溶解，被照射的區(qū)域的負膠層保留在襯底上，形成完全覆蓋劃片道凹槽的負膠層；

所述負膠光刻版采用不透光材質(zhì)，光刻版上對應(yīng)于襯底上的劃片道凹槽位置均設(shè)置有透光區(qū)，所述透光區(qū)的面積完全覆蓋所述劃片道凹槽；

所述透光區(qū)在負膠層上的投影兩側(cè)分別比所述劃片道凹槽的兩側(cè)寬10微米以上。

2.如權(quán)利要求1所述的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，所述步驟4包括：

步驟41，在負膠層及襯底上表面覆蓋藍膜；

步驟42，揭掉藍膜，覆蓋在負膠層上的金屬膜隨著藍膜一起被揭掉；

步驟43，去除負膠層。

3.如權(quán)利要求1~2任一項所述的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，所述劃片道凹槽的兩側(cè)面呈臺階狀，所述臺階的臺階面由平面形成、平面與曲面共同形成，或由曲面形成，所述平面包括水平面、垂直面或斜面。

4.如權(quán)利要求1所述的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，所述步驟1之前包括：

步驟10，對基層上設(shè)有第一劃片道凹槽的一面進行金屬濺射處理，在基底上表面形成金屬層；

步驟20，對金屬層光刻、刻蝕并去除光刻膠后，在金屬層上形成若干第二劃片道凹槽，每個第二劃片道凹槽對應(yīng)在一個所述第一劃片道凹槽上，所述第一劃片道凹槽與第二劃片道凹槽共同形成所述劃片道凹槽。

5.如權(quán)利要求4所述的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，所述步驟20包括：

步驟201，在金屬層上涂光刻膠層；

步驟202，對正膠光刻膠層曝光并顯影后，對金屬層刻蝕；

步驟203，去除光刻膠層。

6.如權(quán)利要求5所述的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，步驟20中的光刻膠采用正膠，所述步驟202包括：

步驟202A，將正膠光刻版放置于正膠層上方；

步驟202B，在正膠光刻版上方照射預(yù)定波長范圍的光，光透過正膠光刻版上的透光區(qū)域?qū)φz層照射；

步驟202C，正膠層接受光照后，被照射的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；

步驟202D，將襯底及正膠層均放置顯影液中，被照射的區(qū)域的正膠層溶解，未被照射的區(qū)域的正膠層保留在襯底上，在正對第一劃片道凹槽的位置形成鏤空，所述金屬層通過該鏤空暴露于外界環(huán)境中；

步驟202E，對金屬層刻蝕，將裸露在鏤空中的金屬層腐蝕掉，在金屬層上形成第二劃片道凹槽。

7.如權(quán)利要求6所述的改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法，其特征在于，所述步驟1之前還包括：

步驟30，將正膠光刻版的遮光區(qū)寬度方向的參數(shù)均縮小10微米以上形成負膠光刻版的工藝參數(shù)；

步驟40，按照負膠光刻版的工藝參數(shù)制備負膠光刻版。