[發(fā)明專利]一種鈦電極及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811596201.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109534460B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邵彩茹;張建華;蔣玉思;程華月 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東省稀有金屬研究所 |
| 主分類號(hào): | C25B1/04 | 分類號(hào): | C25B1/04;C25B11/053;C25B11/063;C25B11/091;C02F1/461 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 宋南 |
| 地址: | 510000 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電極 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明提供了一種鈦電極及其制備方法與應(yīng)用,屬于電極技術(shù)領(lǐng)域。該鈦電極包括鈦基體、銀中間層以及鉍鈦錫活性層;銀中間層設(shè)置于鈦基體的表面,鉍鈦錫活性層設(shè)置于銀中間層的遠(yuǎn)離鈦基體的一側(cè)的表面。該鈦電極具有較高的析氧電位以及較長(zhǎng)的工作壽命。制備方法包括:于鈦基體的表面制備銀中間層,于銀中間層的遠(yuǎn)離鈦基體的一側(cè)的表面設(shè)置鉍鈦錫活性層,隨后進(jìn)行退火處理。該方法工藝簡(jiǎn)單,可重復(fù)性好,易于操作,能夠有效延緩鈦基體的鈍化速度,延長(zhǎng)電極的工作壽命,同時(shí)使電極具有較高的析氧電位。該鈦電極可用于多種廢水處理環(huán)境,能有效降解廢水中的污染物。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電極技術(shù)領(lǐng)域,且特別涉及一種鈦電極及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
涂層鈦電極,也被稱為形穩(wěn)陽(yáng)極,被廣泛應(yīng)用于氯堿工業(yè)、廢水處理、電鍍、陰極保護(hù)等諸多領(lǐng)域。
目前,涂層鈦電極中常用的氧化錫電極工作壽命短,嚴(yán)重限制了其大規(guī)模應(yīng)用。
因此,需研發(fā)出一種能夠代替氧化錫電極的新的涂層鈦電極。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一包括提供一種鈦電極,該鈦電極具有較高的析氧電位以及較長(zhǎng)的工作壽命。
本發(fā)明的目的之二包括提供一種上述鈦電極的制備方法,該制備方法工藝簡(jiǎn)單,可重復(fù)性好,易于操作,能夠有效延緩鈦基體的鈍化速度,延長(zhǎng)電極的工作壽命,同時(shí)使電極具有較高的析氧電位。
本發(fā)明的目的之三包括提供一種上述鈦電極的應(yīng)用,例如可將其用于廢水處理。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
本發(fā)明實(shí)施例提出了一種鈦電極,該鈦電極包括鈦基體、銀中間層以及鉍鈦錫活性層;銀中間層設(shè)置于鈦基體的表面,鉍鈦錫活性層設(shè)置于銀中間層的遠(yuǎn)離鈦基體的一側(cè)的表面。
本發(fā)明還提出了一種上述鈦電極的制備方法,包括以下步驟:于鈦基體的表面制備銀中間層,于銀中間層的遠(yuǎn)離鈦基體的一側(cè)的表面設(shè)置鉍鈦錫活性層,隨后進(jìn)行退火處理。
本發(fā)明還提出了一種上述鈦電極的應(yīng)用,例如可將其用于廢水處理。
本發(fā)明實(shí)施例中鈦電極及其制備方法與應(yīng)用的有益效果包括:
本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的鈦電極具有較高的析氧電位以及較長(zhǎng)的工作壽命。其制備方法工藝簡(jiǎn)單,可重復(fù)性好,易于操作,能夠有效延緩鈦基體的鈍化速度,延長(zhǎng)電極的工作壽命,同時(shí)使電極具有較高的析氧電位。該鈦電極可用于廢水處理,能有效降解廢水中的污染物。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,應(yīng)當(dāng)理解,以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例,因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。
圖1為本申請(qǐng)?jiān)囼?yàn)例1中實(shí)施例1提供的鈦電極的伏安性能圖;
圖2為本申請(qǐng)?jiān)囼?yàn)例1中實(shí)施例1提供的鈦電極的電位-時(shí)間圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。實(shí)施例中未注明具體條件者,按照常規(guī)條件或制造商建議的條件進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者,均為可以通過(guò)市售購(gòu)買獲得的常規(guī)產(chǎn)品。
以下對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本申請(qǐng)涉及的鈦電極包括鈦基體、銀中間層以及鉍鈦錫活性層;銀中間層設(shè)置于鈦基體的表面,鉍鈦錫活性層設(shè)置于銀中間層的遠(yuǎn)離鈦基體的一側(cè)的表面。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東省稀有金屬研究所,未經(jīng)廣東省稀有金屬研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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