[發(fā)明專利]一種鈦電極及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811596201.7
• 申請(qǐng)日: 2018-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN109534460B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵彩茹;張建華;蔣玉思;程華月
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東省稀有金屬研究所
• 主分類號(hào): C25B1/04
• 分類號(hào): C25B1/04;C25B11/053;C25B11/063;C25B11/091;C02F1/461
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 宋南

1.一種鈦電極，其特征在于，所述鈦電極包括鈦基體、銀中間層以及鉍鈦錫活性層；所述銀中間層設(shè)置于所述鈦基體的表面，所述鉍鈦錫活性層設(shè)置于所述銀中間層的遠(yuǎn)離所述鈦基體的一側(cè)的表面；

所述銀中間層的厚度為1-10⁶nm；所述銀中間層與所述鉍鈦錫活性層的總厚度不超過10μm；

所述鉍鈦錫活性層中的鉍、鈦及錫的摩爾比為1-10：20-50：70-100；

所述銀中間層的制備包括：采用磁控濺射法、電鍍法、蒸發(fā)鍍膜法或化學(xué)氣相沉積法于所述鈦基體的表面覆蓋銀以形成所述銀中間層；

所述鉍鈦錫活性層的制備包括：將含有鉍、鈦和錫的前驅(qū)液覆蓋于所述銀中間層的遠(yuǎn)離所述鈦基體的一側(cè)的表面以形成所述鉍鈦錫活性層；覆蓋方法包括涂刷法、滴涂法、浸漬提拉法、旋涂法、電沉積法、磁控濺射法或蒸鍍法。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈦電極，其特征在于，所述鈦基體包括鈦板、鈦網(wǎng)或鈦棒。

3.如權(quán)利要求1或2所述的鈦電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：于所述鈦基體的表面制備所述銀中間層，于所述銀中間層的遠(yuǎn)離所述鈦基體的一側(cè)的表面設(shè)置所述鉍鈦錫活性層，隨后進(jìn)行退火處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述銀中間層的制備包括：采用磁控濺射法、電鍍法、蒸發(fā)鍍膜法或化學(xué)氣相沉積法于所述鈦基體的表面覆蓋銀以形成所述銀中間層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述鉍鈦錫活性層的制備包括：將含有鉍、鈦和錫的前驅(qū)液覆蓋于所述銀中間層的遠(yuǎn)離所述鈦基體的一側(cè)的表面以形成所述鉍鈦錫活性層；覆蓋方法包括涂刷法、滴涂法、浸漬提拉法、旋涂法、電沉積法、磁控濺射法或蒸鍍法。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述前驅(qū)液由BiCl₃、SnCl₂·2H₂O以及鈦酸丁酯在無水乙醇為溶劑的條件下混合而成。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，退火處理于450-600℃的條件下進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在設(shè)置所述銀中間層之前，還包括對(duì)所述鈦基體進(jìn)行預(yù)處理；

預(yù)處理包括：對(duì)所述鈦基體進(jìn)行打磨或噴砂處理、堿洗以及酸洗。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，堿洗是于80-95℃的條件下在濃度為20-40wt％的NaOH溶液中加熱1-3h；或，堿洗是于丙酮溶液中超聲清洗10-30min。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，酸洗是于80-95℃的條件下在濃度為10-40wt％的草酸或45-55vol％的鹽酸溶液中加熱1-3h。

11.一種如權(quán)利要求1或2所述的鈦電極的應(yīng)用，其特征在于，所述鈦電極用于廢水處理。