[發(fā)明專利]乙硅烷的制備裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811594055.4
• 申請(qǐng)日: 2018-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN109437208A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬燁;劉見華;趙雄;嚴(yán)大洲;趙宇;郭樹虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 洛陽中硅高科技有限公司;中國恩菲工程技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/04
• 分類號(hào): C01B33/04
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;謝湘寧

1.一種乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述乙硅烷制備裝置包括：

過濾單元(10)，所述過濾單元(10)設(shè)置有多晶硅殘液入口和濾液出口；

精餾單元(20)，所述精餾單元(20)設(shè)置有濾液入口和氯代乙硅烷出口，所述濾液入口與所述濾液入口經(jīng)濾液輸送管路相連通；

還原單元(30)，所述還原單元(30)設(shè)置有加料口，所述加料口與所述氯代乙硅烷出口經(jīng)氯代乙硅烷輸送管路相連通，所述加料口也用于加入還原劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述精餾單元(20)包括：

第一精餾裝置(21)，所述第一精餾裝置(21)設(shè)置有所述濾液入口和除鈦試劑入口及第一塔頂產(chǎn)物出口；及

第二精餾裝置(22)，所述第二精餾裝置(22)設(shè)置有第一塔頂產(chǎn)物入口和所述氯代乙硅烷出口，所述第一塔頂產(chǎn)物出口與所述第一塔頂產(chǎn)物入口相連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述精餾單元(20)還包括除鈦試劑供應(yīng)裝置(23)，所述除鈦試劑供應(yīng)裝置(23)用于向所述第一精餾裝置(21)提供除鈦試劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述過濾單元(10)包括至少一個(gè)過濾裝置，且將所述過濾裝置的數(shù)量記為N，當(dāng)N＝1時(shí)，所述過濾裝置設(shè)置有所述多晶硅殘液入口和所述濾液出口，當(dāng)N＞1時(shí)，N個(gè)所述過濾裝置順次連通，且按物料流動(dòng)順序位于第1個(gè)的所述過濾裝置設(shè)置有所述多晶硅殘液入口，位于第N個(gè)的所述過濾裝置設(shè)置有所述濾液出口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述過濾裝置設(shè)置有過濾孔，所述孔的直徑為0.5～1μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述還原單元(30)包括：

還原劑供應(yīng)裝置(31)，所述還原劑供應(yīng)裝置(31)設(shè)置有還原劑供應(yīng)口；

還原裝置(32)，所述還原裝置(32)設(shè)置有所述加料口，所述加料口與所述還原劑供應(yīng)口相連通；

加熱裝置，所述加熱裝置用于控制所述還原裝置(32)中的反應(yīng)溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述還原單元(30)還包括：

有機(jī)溶劑供應(yīng)裝置(33)，所述有機(jī)溶劑供應(yīng)裝置(33)設(shè)置有有機(jī)溶劑入口，所述有機(jī)溶劑入口與所述加料口相連通；

保護(hù)氣供應(yīng)裝置(34)，所述保護(hù)氣供應(yīng)裝置(34)設(shè)置有保護(hù)氣供應(yīng)口，所述保護(hù)氣供應(yīng)口與所述加料口相連通；

催化劑供應(yīng)裝置(35)，所述催化劑供應(yīng)裝置(35)設(shè)置有催化劑供應(yīng)口與所述加料口相連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述還原裝置(32)為微通道反應(yīng)器。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述還原裝置(32)還設(shè)置有還原產(chǎn)物體系出口，所述乙硅烷制備裝置還包括提純單元(40)，所述提純單元(40)設(shè)置有還原產(chǎn)物體系入口，所述還原產(chǎn)物體系入口與所述還原產(chǎn)物體系出口相連通，用于對(duì)還原產(chǎn)物體系進(jìn)行提純。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述提純單元(40)包括：

第三精餾裝置(41)，所述第三精餾裝置(41)設(shè)置有所述還原產(chǎn)物體系入口、第三精餾塔頂產(chǎn)物出口；

第四精餾裝置(42)，所述第四精餾裝置(42)設(shè)置有所述第三精餾塔頂產(chǎn)物入口和第四精餾塔底產(chǎn)物出口，所述第三精餾塔頂產(chǎn)物入口與所述第三精餾塔頂產(chǎn)物出口相連通。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的乙硅烷制備裝置，其特征在于，所述提純單元(40)包括第五精餾裝置(43)，所述第五精餾裝置(43)設(shè)置有第四精餾塔底產(chǎn)物入口和第五精餾塔底產(chǎn)物出口，所述第四精餾塔底產(chǎn)物入口與所述第四精餾塔底產(chǎn)物出口。