[發明專利]一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法在審
| 申請號: | 201811593467.6 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN110021547A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 馮光建;王永河;馬飛;程明芳;郁發新 | 申請(專利權)人: | 浙江集邁科微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
| 地址: | 313100 浙江省湖州市長興縣經濟技術開發*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 臨時鍵合 晶圓 凸點 鍵合 制作 | ||
本發明公開了一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法,具體處理包括101)制作凹槽步驟和102)鍵合步驟;本發明提供能大大增加臨時鍵合工藝的適用性的一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,更具體的說,它涉及一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法。
背景技術
在后摩爾定律的時代背景下,通過傳統的縮小晶體管尺寸的方式來提高集成度變得更加困難。現在的電子系統正朝著小型化、多樣化、智能化的方向發展,并最終形成具有感知、通信、處理、傳輸等融合多功能于一體的高集成度低成本綜合電子系統。多功能綜合電子系統的核心技術是集成,正在由平面集成向三維集成、由芯片級向集成度和復雜度更高的系統級集成發展。三維集成系統級封裝能夠解決同樣面積內集成更多的晶體管的問題,是未來的發展方向。
通過轉接板做載板或者蓋板來做系統級封裝的結構既能在架構上將芯片由平面布局改為堆疊式布局,又能集成無源器件或分立元件等系統構建,使得精度、密度增加,性能大大提高,代表著未來射頻集成電路技術的發展趨勢,在多方面存在極大的優勢特性:
a)三維異構集成系統級封裝采用一個芯片殼體來完成一個系統的全部互連,使總的焊點大為減少,也縮短了元件的連線路程,從而使電性能得以提高。
b)三維異構集成系統級封裝在同一轉接板芯片中疊加兩個或更多的芯片,把Z方向的空間也利用起來,又不必增加封裝引腳,兩芯片疊裝在同一殼內與芯片面積比均大于100%,三芯片疊裝可增至250%。
但是轉接板的制作往往需要臨時鍵合工藝,即需要用臨時鍵合的工藝先把一個正常厚度的載板跟轉接板進行結合,然后用載板做支撐對轉接板進行減薄和背面RDL和bump工藝,最后把載板去掉完成轉接板的制作,這種方法對于300微米到50微米厚度之間的轉接板來說是非常必要的。
但是臨時鍵合是通過鍵合膠的作用來實現載板和轉接板的結合的,鍵合膠的厚度往往小于100微米,這樣如果轉接板表面有較大的凸起或者已經用FC工藝貼裝了超薄芯片的話,就不能直接跟載板做鍵合,且有些凸起或者表面貼裝芯片不能跟膠接觸。
發明內容
本發明克服了現有技術的不足,提供能大大增加臨時鍵合工藝的適用性的一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法。
本發明的技術方案如下:
一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法,具體處理包括如下步驟:
101)制作凹槽步驟:在載板上表面通過光刻、刻蝕工藝制作凹槽,在載片上表面通過旋涂、噴膠或者電鍍的工藝加一層鍵合膠;
102)鍵合步驟:把步驟101)處理后的載板,通過加熱和壓合的方式使其跟轉接板做臨時鍵合,加熱溫度范圍在20度到200度之間;轉接板表面凸起或者貼裝芯片被包在載板的凹槽內部。
進一步的,載板大小采用4、6、8、12寸中的一種,載板厚度范圍為200um到2000um,載板材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化鋁、環氧樹脂、聚氨酯中的一種。
進一步的,凹槽結構深度在10um到1000um,凹槽的寬度在1um到10cm之間,凹槽截面圖形為方形、圓形、橢圓形或三角形。
進一步的,鍵合膠的厚度范圍在1um到300um之間,通過烘烤使鍵合膠進入凹槽中。
本發明相比現有技術優點在于:本發明通過在載板表面制作凹槽,為轉接板的凸起或者表面貼裝芯片提供被容納的區域,能大大增加臨時鍵合工藝的適用性;對于不能直接跟膠接觸的凸起或者貼裝芯片,可以直接埋入凹槽內,凹槽為這些器件提供保護空間。
附圖說明
圖1為本發明的第一種形成凹槽的剖面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





