[發明專利]一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法在審
| 申請號： | 201811593467.6 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN110021547A | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 馮光建;王永河;馬飛;程明芳;郁發新 | 申請（專利權）人： | 浙江集邁科微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市長興縣經濟技術開發*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臨時鍵合 晶圓 凸點 鍵合 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法，其特征在于，具體處理包括如下步驟：
101）制作凹槽步驟：在載板上表面通過光刻、刻蝕工藝制作凹槽，在載片上表面通過旋涂、噴膠或者電鍍的工藝加一層鍵合膠；
102）鍵合步驟：把步驟101）處理后的載板，通過加熱和壓合的方式使其跟轉接板做臨時鍵合，加熱溫度范圍在20度到200度之間；轉接板表面凸起或者貼裝芯片被包在載板的凹槽內部。
2.根據權利要求1所述的一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法，其特征在于：載板大小采用4、6、8、12寸中的一種，載板厚度范圍為200um到2000um，載板材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化鋁、環氧樹脂、聚氨酯中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法，其特征在于：凹槽結構深度在10um到1000um，凹槽的寬度在1um到10cm之間，凹槽截面圖形為方形、圓形、橢圓形或三角形。
4.根據權利要求1所述的一種表面大凸點晶圓臨時鍵合方法，其特征在于：鍵合膠的厚度范圍在1um到300um之間，通過烘烤使鍵合膠進入凹槽中。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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