[發明專利]一種COB封裝及其制備方法有效
| 申請號: | 201811593436.0 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN109817789B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發明(設計)人: | 陳智波;蘇佳檳;馬麗詩;林曉敏 | 申請(專利權)人: | 硅能光電半導體(廣州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 謝嘉舜;孫中華 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cob 封裝 及其 制備 方法 | ||
1.一種COB封裝,包括基板、LED芯片、光轉換層、硅膠層和擋膠;所述LED芯片安裝在基板上;其特征在于,所述光轉換層包覆LED芯片;所述硅膠層疊置在光轉換層的上方;所述擋膠從基板向上延伸并圍繞硅膠層設置;所述光轉換層包括甲基硅橡膠;所述硅膠層包括甲基硅橡膠;所述甲基硅橡膠的折射率為1.42,硬度為50shoreA,所述光轉換層的最大厚度為0.1-0.3mm;
所述光轉換層中還包括發射波長為500-650nm的熒光粉,其中,填涂光轉換層后,水平靜置光轉換層,在水平靜置后的光轉換層上填涂硅膠層,填涂硅膠層后進行脫泡處理,然后烘烤,烘烤采用分段烘烤以使硅膠層固化連接光轉換層、外保護層:第一段的溫度為170-190℃,時間15min,第二段的溫度為140-160℃,時間為0.5-1h,水平度±0.1°。
2.如權利要求1所述的COB封裝,其特征在于,所述LED芯片為至少兩個;所述LED芯片之間通過金線電性連接。
3.如權利要求1所述的COB封裝,其特征在于,所述基板上設有凹陷的安裝部;所述安裝部的凹陷深度為0.2-0.4mm;所述LED芯片固定在安裝部中。
4.如權利要求1所述的COB封裝,其特征在于,所述COB封裝還包括外保護層;所述外保護層疊置在硅膠層上方;所述外保護層包括苯基硅橡膠;所述苯基硅橡膠的折射率為1.47-1.55,硬度為60-70shoreD。
5.一種如權利要求1所述的COB封裝的制備方法,其特征在于包括:
LED芯片固定步驟:將LED芯片固定在基板上;
擋膠形成步驟:在LED芯片的外圍形成擋膠;
光轉換層填涂步驟:填涂光轉換層以包覆LED芯片,然后靜置2-4h,所述光轉換層中包括發射波長為500-650nm的熒光粉;
硅膠層填涂步驟:在擋膠內部、光轉換層的上方填涂硅膠層;
脫泡及烘烤步驟:填涂硅膠層后,進行脫泡處理,然后烘烤,得到COB封裝,所述脫泡及烘烤步驟中,烘烤采用分段烘烤以使硅膠層固化連接光轉換層、外保護層:第一段的溫度為170-190℃,時間15min,第二段的溫度為140-160℃,時間為0.5-1h,水平度±0.1°。
6.如權利要求5所述的COB封裝的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括外保護層形成步驟:脫泡及烘烤步驟后,在擋膠內部、硅膠層的上方填涂外保護層,然后加熱,得到COB封裝。
7.如權利要求6所述的COB封裝的制備方法,其特征在于,所述外保護層形成步驟中,加熱的溫度為140-160℃,時間為2-2.5h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于硅能光電半導體(廣州)有限公司,未經硅能光電半導體(廣州)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811593436.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





