[發(fā)明專利]一種COB封裝及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811593436.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109817789B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳智波;蘇佳檳;馬麗詩(shī);林曉敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 硅能光電半導(dǎo)體(廣州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 謝嘉舜;孫中華 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cob 封裝 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種COB封裝及其制備方法,COB封裝包括基板、LED芯片、光轉(zhuǎn)換層、硅膠層和擋膠;LED芯片安裝在基板上;光轉(zhuǎn)換層包覆LED芯片;光轉(zhuǎn)換層包括甲基硅橡膠和甲基苯基硅橡膠中的至少一種;制備方法包括:LED芯片固定步驟;擋膠形成步驟:在LED芯片的外圍形成擋膠;光轉(zhuǎn)換層填涂步驟:填涂光轉(zhuǎn)換層以包覆LED芯片,然后靜置;硅膠層填涂步驟:在擋膠內(nèi)部、光轉(zhuǎn)換層的上方填涂硅膠層;脫泡及烘烤步驟:填涂硅膠層后,進(jìn)行脫泡處理,然后烘烤;通過(guò)光轉(zhuǎn)換層的材料改進(jìn),使得吸收的熱量能快速導(dǎo)出,有效改善光轉(zhuǎn)換層受熱失效和溫度過(guò)高導(dǎo)致膠裂的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種COB封裝及其制備方法,屬于照明結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(LED)是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)加工的電致發(fā)光器件,被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,包括背光單元、汽車、電信號(hào)、交通信號(hào)燈、以及照明裝置等,被譽(yù)為替代熒光燈和白熾燈的第四代照明光源。
當(dāng)前市場(chǎng)上主流的商品化白光LED是采用藍(lán)光LED芯片加上黃色熒光粉、綠色熒光粉、紅色熒光粉一種或多種來(lái)實(shí)現(xiàn),具體的,LED芯片在電流驅(qū)動(dòng)下發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)熒光粉,使其產(chǎn)生其它波段的可見(jiàn)光,這些可見(jiàn)光跟藍(lán)光混合后形成了白光。目前LED封裝形式主要分為SMD、COB、CSP等,而COB具有光線柔和、線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、高成本效益、節(jié)省系統(tǒng)空間、高導(dǎo)熱率、高輸出光密度和高光品質(zhì)等優(yōu)點(diǎn),其在商業(yè)照明領(lǐng)域的明顯優(yōu)勢(shì)使其成為目前定向照明主流解決方案,未來(lái)或?qū)⒊蔀榉庋b領(lǐng)域的中流砥柱。
然而COB作為一種大功率封裝形式,其對(duì)封裝物料的要求必然比中小功率的SMD高,尤其是耐高溫性能。鑒于此,傳統(tǒng)的COB封裝使用甲基類的低折、低硬度的硅膠,把熒光粉混合在硅膠里,再涂覆于芯片上,混合膠厚度一般大于0.5mm,這樣熒光粉的熱傳導(dǎo)路徑長(zhǎng),而硅膠本身導(dǎo)熱系數(shù)低,導(dǎo)致熒光粉吸收的熱量不能及時(shí)從基板底部傳出去,積累的熱量越來(lái)越多,溫度越來(lái)越高,從而使熒光粉失效,嚴(yán)重時(shí)甚至導(dǎo)致硅膠龜裂而死燈。另一方面,采用甲基類的低折、低硬度的硅膠,由于其氣密性差,使得外部的離子等很容易透過(guò)封裝硅膠擴(kuò)散至反光鍍銀層,硫離子與Ag在高溫下極易發(fā)生硫化反應(yīng),大大降低了基板鍍銀層的反射率,影響其長(zhǎng)期工作的光輸出,縮短其使用壽命。隨著氧化腐蝕的加劇,鍍銀層與基板載體會(huì)慢慢脫離,在芯片與載體之間形成一層空氣界面,芯片產(chǎn)生的熱量不能有效傳導(dǎo)到熱沉,最后芯片燒死。更嚴(yán)重地,當(dāng)芯片底部的鍍銀層被腐蝕后,芯片與基板載體脫離,鍵合金線被拉斷,直接導(dǎo)致器件死燈。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的第一個(gè)目的在于提供一種COB封裝,通過(guò)光轉(zhuǎn)換層的材料改進(jìn),使得吸收的熱量能快速導(dǎo)出,有效改善光轉(zhuǎn)換層受熱失效和溫度過(guò)高導(dǎo)致膠裂的問(wèn)題。
本發(fā)明的第二個(gè)目的在于提供一種上述COB封裝的制備方法。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第一個(gè)目的可以通過(guò)采取如下技術(shù)方案達(dá)到:
一種COB封裝,包括基板、LED芯片、光轉(zhuǎn)換層、硅膠層和擋膠;LED芯片安裝在基板上;光轉(zhuǎn)換層包覆LED芯片;硅膠層疊置在光轉(zhuǎn)換層的上方;擋膠從基板向上延伸并圍繞硅膠層設(shè)置;光轉(zhuǎn)換層包括甲基硅橡膠和甲基苯基硅橡膠中的至少一種;硅膠層包括甲基硅橡膠;甲基硅橡膠和甲基苯基硅橡膠的折射率為1.4-1.45,硬度為30-70shoreA。
光轉(zhuǎn)換層包括的甲基硅橡膠和硅膠層包括的甲基硅橡膠均為折射率1.4-1.45,硬度為30-70shoreA的甲基硅橡膠。
進(jìn)一步地,LED芯片為至少兩個(gè);LED芯片之間通過(guò)金線電性連接。
進(jìn)一步地,LED芯片為正裝芯片、倒裝芯片和垂直芯片中的至少一種。
進(jìn)一步地,基板上設(shè)有凹陷的安裝部;安裝部的凹陷深度為0.2-0.4mm;LED芯片固定在安裝部中。
進(jìn)一步地,光轉(zhuǎn)換層中還包括發(fā)射波長(zhǎng)為500-650nm的熒光粉。
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