[發明專利]一種低溫立狀石墨烯的生長方法在審
| 申請號： | 201811592574.7 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109987599A | 公開（公告）日： | 2019-07-09 |
| 發明（設計）人： | 王剛;李久榮;陳達;朱偉;胡緒瑞;趙夢晗 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | C01B32/186 | 分類號： | C01B32/186;G01N33/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普華專利代理事務所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 丁少華 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 柱狀 二氧化硅基片 等離子體增強化學氣相沉積 石英管 立狀 等離子體射頻 加熱石英管 氬氣 反應條件 反應要求 寬度比較 形貌特征 氫氣 生長 抽真空 甲烷 能耗 認知 | ||
【權利要求書】：
1.一種低溫立狀石墨烯的生長方法，其特征在于：包括如下步驟
步驟①：準備二氧化硅基片；
步驟②：將二氧化硅基片水平放置在石英管中，對石英管內進行抽真空，之后通入氫氣和氬氣，并加熱石英管至450℃，開啟等離子體射頻源，以甲烷為碳源在二氧化硅基片表面進行等離子體增強化學氣相沉積，形成柱狀石墨烯，柱狀石墨烯的寬度為0.2μm-0.4μm。
2.根據權利要求1所述的低溫立狀石墨烯的生長方法，其特征在于：沉積時間為20min-25min，柱狀石墨烯的平均厚度為230nm-240nm。
3.根據權利要求2所述的低溫立狀石墨烯的生長方法，其特征在于：等離子體射頻功率為350W-400W，石墨烯納米墻的水接觸角為130°-137°。
4.根據權利要求3所述的低溫立狀石墨烯的生長方法，其特征在于：步驟①完成后，在二氧化硅基片表面采用電子束蒸發形成源極和漏極，制造成傳感器裝置，對氣體進行檢測。
5.根據權利要求4所述的低溫立狀石墨烯的生長方法，其特征在于：檢測的氣體為氨氣。
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