[發明專利]電鍍裝置

有效

• 申請號: 201811592104.0
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN110184639B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 社本光弘;中田勉;下山正
• 申請（專利權）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: C25D17/12
• 分類號: C25D17/12;C25D17/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明是使在多邊形基板上電鍍的膜的面內均勻性提高。電鍍裝置包括以保持陽極的方式而構成的陽極固持器、以保持多邊形基板的方式而構成的基板固持器、以及設置在陽極固持器與基板固持器之間的調節板。調節板包括具有遵循多邊形基板的外形的第一多邊形開口的本體部、以及從第一多邊形開口的邊緣朝向基板固持器側突出的壁部。壁部在包含第一多邊形開口的邊的中央部的第一區域內朝基板固持器側跨第一距離而突出，在包含第一多邊形開口的角部的第二區域內被切缺，或者朝向基板固持器側跨小于第一距離的第二距離而突出。

技術領域

本申請涉及一種電鍍裝置。

背景技術

現有技術中，是進行如下的工序：在半導體晶片等基板的表面上所設置的微細的配線用溝槽、孔(hole)或抗蝕開口部上形成配線，或者在基板的表面上形成與封裝體的電極等電連接的凸塊(突起狀電極)。作為形成所述配線及凸塊的方法，例如已知有電解電鍍法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊法等。伴隨著半導體芯片的輸入輸出(input/output，I/O)數的增加、間距變窄，能夠實現微細化且性能較穩定的電解電鍍法更多地使用起來。

當使用電解電鍍法來形成配線或凸塊時，會在設置于基板上的配線用溝槽、孔或抗蝕開口部上的阻擋金屬(barrier metal)的表面上形成低電阻的籽晶層(供電層)。在所述籽晶層(seed layer)的表面上，電鍍膜成長。

一般來說，被電鍍的基板在其周緣部具有電接點。即，電流從被電鍍的基板的中央流向周緣部。隨著距離遠離基板的中央，電位逐漸下降與籽晶層的電阻相當的程度，與基板的中心部相比在基板的周緣部會產生更低的電位。由于所述在基板中心與周緣部的電位差，而使得金屬離子的還原電流，即電鍍電流集中于基板的周緣部的現象被稱為終點效應(terminal effect)。

再者，作為利用電解電鍍法而電鍍的基板的形狀，已知有圓形的基板、四邊形的基板(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。

在圓形基板上，從圓形基板的中央部到基板的周緣部為止的距離與相鄰的電接點之間的距離遍及基板的全周均相同。因此，在圓形基板上電鍍時的終點效應是遍及基板的整個周圍而大致同樣地產生。因此，當在圓形基板上進行有電鍍時，在基板的中心部的電鍍速度會下降，在基板的中心部的電鍍膜的膜厚薄于在基板的周緣部的電鍍膜?，F有技術中，為了抑制因終點效應導致的膜厚的面內均勻性的下降，是進行如下的工序：一邊對均等地配置在圓形基板的周緣部上的電接點供給電流，一邊例如利用如專利文獻3所公開的調節板(regulation plate)，調節施加至圓形基板的電場、即電活性離子的平流。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平09-125294號公報

[專利文獻2]日本專利特公平03-029876號公報

[專利文獻3]日本專利特開2005-029863號公報

發明內容

[發明所要解決的問題]

但是，在多邊形基板中，當在多邊形的所有邊的周緣部上配置有電接點時，鄰接的電接點間的距離會因位置而不同。即，多邊形基板的頂點附近與多邊形基板的邊的中央部(頂點間的中央部)相比，鄰接的電接點間的距離更短。由此，與多邊形基板的邊的中央部(頂點間的中央部)相比電量增加，因此在電鍍初期，基板表面的電活性離子更多地消耗，濃度下降。并且，頂點附近被保護電接點遠離電鍍液的密封件等基板固持器的構成零件所包圍，由此難以將電活性離子供給至基板表面。因此，在多邊形基板上，存在如下的傾向：在靠近與中心部的距離相對較長的角部的區域內，最終的電鍍膜厚變小。

本發明是鑒于所述問題而完成的，其目的之一在于使在多邊形基板上電鍍的膜的面內均勻性提高。

[解決問題的技術手段]