[發(fā)明專利]一種輔助圖形的優(yōu)化方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811591822.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109445244A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設計）人: 盧意飛
• 申請（專利權）人: 上海微阱電子科技有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 陶金龍;張磊

本發(fā)明公開了一種輔助圖形的優(yōu)化方法，包括以下步驟：步驟S01：建立OPC模型；步驟S02：選擇用于輔助圖形優(yōu)化的測試圖形；步驟S03：基于規(guī)則、模型和反向光刻計算方法，進行輔助圖形的添加；步驟S04：根據測試圖形的工藝窗口數據，選擇輔助圖形方案；步驟S05：簡化輔助圖形方案；步驟S06：獲得優(yōu)化的輔助圖形添加規(guī)則。利用本發(fā)明對輔助圖形方案進行優(yōu)化，通過優(yōu)選的測試圖形，擬合運算得到較佳的輔助圖形添加方案，并應用到OPC解決方案中，既節(jié)約了時間，又提高了輔助圖形對主圖形工藝窗口的有效提升。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體集成電路制造工藝技術領域，更具體地，涉及一種輔助圖形的優(yōu)化方法。

背景技術

隨著集成電路的持續(xù)發(fā)展，制造技術不斷地朝更小的尺寸發(fā)展，光刻制程已經成為限制集成電路向更小特征尺寸發(fā)展的主要瓶頸。

在深亞微米的半導體制造中，關鍵圖形的尺寸已經遠遠小于光源的波長，由于光的衍射效應，導致光罩投影至硅片上面的圖形有很大的變化，如線寬的變化，轉角的圓化，線長的縮短等各種光學臨近效應。

為了補償這些效應產生的影響，我們會直接修改設計出來的圖形，然后再進行光刻版的制版工作，例如將線尾修改成hammer head之類的圖形等。這個修正的迭代過程就叫光刻鄰近效應修正，即所謂的OPC。一般來說，0.18微米以下的光刻制程需要輔以OPC才可得到較好的光刻質量。

在65nm及以下先進工藝中，亞分辨率輔助圖形(Assist Feature，AF)技術被廣泛應用于光學鄰近效應修正OPC中。輔助圖形技術利用光學原理在主圖形(Main Feature，MF)附近加入無法成像的輔助圖形，增強主圖形對比度，從而進一步擴大光刻工藝窗口。

輔助圖形的添加通常有基于規(guī)則添加、基于模型添加、基于反向光刻計算添加等。其中，基于規(guī)則添加輔助圖形，運算速度快，但很難保證讓設計圖形獲得最大的光刻工藝窗口。基于模型或反向光刻計算添加輔助圖形，通常能獲得較大的光刻工藝窗口，但運算速度慢，運算服務器需求大，很難應用到輔助圖形添加的實際操作中。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于克服現有技術存在的上述缺陷，提供一種輔助圖形的優(yōu)化方法。

為實現上述目的，本發(fā)明的技術方案如下：

一種輔助圖形的優(yōu)化方法，包括以下步驟：

步驟S01：建立OPC模型；

步驟S02：選擇用于輔助圖形優(yōu)化的測試圖形；

步驟S03：基于規(guī)則、模型和反向光刻計算方法，進行輔助圖形的添加；

步驟S04：根據測試圖形的工藝窗口數據，選擇輔助圖形方案；

步驟S05：簡化輔助圖形方案；

步驟S06：獲得優(yōu)化的輔助圖形添加規(guī)則。

進一步地，步驟S01中，通過收集一定數量測試圖形的線寬數據，并擬合光刻工藝在各種圖形下的失真行為，建立OPC模型。

進一步地，所述測試圖形包含錨點圖形、一維圖形、二維線端圖形、SRAM圖形和/或邏輯圖形。

進一步地，所述測試圖形為多個，各所述測試圖形具有相同或不同的關鍵尺寸與節(jié)距，且各所述測試圖形之間存在一定的圖形差異度。

進一步地，所選擇的各所述測試圖形的圖形特征覆蓋工藝設計規(guī)則與工藝薄弱點的圖形。

進一步地，步驟S03中，基于規(guī)則進行輔助圖形的添加時，通過設置輔助圖形的尺寸、輔助圖形與主圖形之間的距離以及輔助圖形與輔助圖形之間的距離，確定輔助圖形添加方案。