[發明專利]一種輔助圖形的優化方法在審
| 申請號: | 201811591822.6 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN109445244A | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 盧意飛 | 申請(專利權)人: | 上海微阱電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龍;張磊 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輔助圖形 測試圖形 優化 工藝窗口 主圖形 光刻 擬合 優選 運算 節約 應用 | ||
1.一種輔助圖形的優化方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S01:建立OPC模型;
步驟S02:選擇用于輔助圖形優化的測試圖形;
步驟S03:基于規則、模型和反向光刻計算方法,進行輔助圖形的添加;
步驟S04:根據測試圖形的工藝窗口數據,選擇輔助圖形方案;
步驟S05:簡化輔助圖形方案;
步驟S06:獲得優化的輔助圖形添加規則。
2.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,步驟S01中,通過收集一定數量測試圖形的線寬數據,并擬合光刻工藝在各種圖形下的失真行為,建立OPC模型。
3.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,所述測試圖形包含錨點圖形、一維圖形、二維線端圖形、SRAM圖形和/或邏輯圖形。
4.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,所述測試圖形為多個,各所述測試圖形具有相同或不同的關鍵尺寸與節距,且各所述測試圖形之間存在一定的圖形差異度。
5.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,所選擇的各所述測試圖形的圖形特征覆蓋工藝設計規則與工藝薄弱點的圖形。
6.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,步驟S03中,基于規則進行輔助圖形的添加時,通過設置輔助圖形的尺寸、輔助圖形與主圖形之間的距離以及輔助圖形與輔助圖形之間的距離,確定輔助圖形添加方案。
7.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,步驟S03中,基于模型或反向光刻計算進行輔助圖形的添加時,通過模型的擬合運算或反向光刻計算尋找工藝窗口最大的輔助圖形添加方案。
8.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,步驟S04中,對步驟S03中以各種方式添加的輔助圖形進行工藝窗口確認,獲得工藝窗口最大的輔助圖形的添加方案。
9.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,步驟S05中,對步驟S04中挑選的工藝窗口數據較優的輔助圖形方案進行簡化,并提取成輔助圖形的添加規則。
10.根據權利要求1所述的輔助圖形的優化方法,其特征在于,步驟S06中,在獲得優化的輔助圖形添加規則后,將優化的輔助圖形添加規則應用到OPC解決方案中。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





