[發(fā)明專利]太陽能單電池的制造方法和太陽能單電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811589712.6 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN110010720A | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 益子慶一郎;村上洋平;平野浩一 | 申請（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)電層 單電池 太陽能 抗蝕劑膜 基底層 金屬層 蝕刻 表面合金化 光電轉(zhuǎn)換部 電解鍍 分離槽 種子層 制造 背面 | ||
太陽能單電池(1)的制造方法包括：在光電轉(zhuǎn)換部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底層(13)和導(dǎo)電層(14)的工序；在導(dǎo)電層的與分離槽(70)對應(yīng)的區(qū)域上形成抗蝕劑膜(71)的工序；將形成了抗蝕劑膜(71)的導(dǎo)電層(14)作為種子層，通過電解鍍依次形成n側(cè)導(dǎo)電層(45)和p側(cè)導(dǎo)電層(55)、含錫的n側(cè)Sn層(46)和p側(cè)Sn層(56)的工序；在n側(cè)Sn層(46)和p側(cè)Sn層(56)上形成將n側(cè)Sn層(46)和p側(cè)Sn層(56)的表面合金化的n側(cè)金屬層(47)和p側(cè)金屬層(57)的工序；和分別對導(dǎo)電層和基底層進(jìn)行蝕刻的工序。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能單電池的制造方法和太陽能單電池。
背景技術(shù)
已經(jīng)公開了一種太陽能單電池的制造方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)，其包括：在半導(dǎo)體襯底的一個面上形成p型區(qū)域和n型區(qū)域的工序；在p型區(qū)域和n型區(qū)域上形成基底層和第1導(dǎo)電層的工序；在第1導(dǎo)電層的與分離槽對應(yīng)的區(qū)域上形成抗蝕劑膜的工序；將形成有抗蝕劑膜的第1導(dǎo)電層作為種子層，通過電解鍍依次形成第2導(dǎo)電層和Sn層的工序；將Sn層的表面氧化來形成表面氧化膜的工序；和除去抗蝕劑膜并分別對第1導(dǎo)電層和基底層進(jìn)行蝕刻的工序。
在該太陽能單電池的制造方法中，能夠提高背面接合型的太陽能單電池制造的成品率和經(jīng)濟性。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-185658號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
但是，在現(xiàn)有的太陽能單電池的制造方法中，在對基底層進(jìn)行蝕刻的情況下，使用鹽酸-過氧化氫等蝕刻液進(jìn)行蝕刻，但此時也會將形成于第2導(dǎo)電層上的Sn層溶解。因此，迫切要求對Sn層的溶解進(jìn)行抑制。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制Sn層溶解的太陽能單電池的制造方法和太陽能單電池。
用于解決課題的方法
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的一個方式的太陽能單電池的制造方法在于，該太陽能單電池在半導(dǎo)體襯底的一個面上形成有用分離槽相互分離的p側(cè)電極和n側(cè)電極，上述太陽能單電池的制造方法包括：在上述半導(dǎo)體襯底的上述一個面上形成p型區(qū)域和n型區(qū)域的工序；在上述p型區(qū)域和上述n型區(qū)域上形成基底層和第1導(dǎo)電層的工序；在上述第1導(dǎo)電層的與上述分離槽對應(yīng)的區(qū)域上形成抗蝕劑膜的工序；將形成了上述抗蝕劑膜的上述第1導(dǎo)電層作為種子層，通過電解鍍依次形成第2導(dǎo)電層、含錫(Sn)的Sn層的工序；在上述Sn層上形成將上述Sn層的表面合金化的金屬層的工序；和分別對上述第1導(dǎo)電層和上述基底層進(jìn)行蝕刻的工序。
另外，本發(fā)明的一個方式的太陽能單電池，其在半導(dǎo)體襯底的一個面上形成有用分離槽相互分離的p側(cè)電極和n側(cè)電極，上述太陽能單電池包括：在上述半導(dǎo)體襯底的上述一個面上具有p型區(qū)域和n型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底；分別形成于上述p型區(qū)域和上述n型區(qū)域上的基底層；形成于上述基底層上的第1導(dǎo)電層；形成于上述第1導(dǎo)電層上的第2導(dǎo)電層；和覆蓋上述第2導(dǎo)電層的Sn層，上述Sn層的表面被合金化。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制Sn層的溶解。
附圖說明
圖1是從背面?zhèn)人吹降膶嵤┓绞降奶柲軉坞姵氐钠矫鎴D。
圖2是表示在圖1的Ⅱ-Ⅱ線切斷太陽能單電池時的截面圖。
圖3是表示實施方式的太陽能單電池的制造方法的工序的流程圖。
圖4是表示實施方式的太陽能單電池的制造方法的工序的截面圖。
圖5是表示變形例的太陽能單電池的制造方法的工序的流程圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社，未經(jīng)松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811589712.6/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：摻雜方法
- 下一篇：一種基于SE的堿拋光高效PERC電池工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
