[發(fā)明專利]太陽能單電池的制造方法和太陽能單電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811589712.6 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN110010720A | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 益子慶一郎;村上洋平;平野浩一 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電層 單電池 太陽能 抗蝕劑膜 基底層 金屬層 蝕刻 表面合金化 光電轉(zhuǎn)換部 電解鍍 分離槽 種子層 制造 背面 | ||
1.一種太陽能單電池的制造方法,該太陽能單電池在半導(dǎo)體襯底的一個面上形成有用分離槽相互分離的p側(cè)電極和n側(cè)電極,所述太陽能單電池的制造方法的特征在于,包括:
在所述半導(dǎo)體襯底的所述一個面上形成p型區(qū)域和n型區(qū)域的工序;
在所述p型區(qū)域和所述n型區(qū)域上形成基底層和第1導(dǎo)電層的工序;
在所述第1導(dǎo)電層的與所述分離槽對應(yīng)的區(qū)域上形成抗蝕劑膜的工序;
將形成了所述抗蝕劑膜的所述第1導(dǎo)電層作為種子層,通過電解鍍依次形成第2導(dǎo)電層、含Sn的Sn層的工序;
在所述Sn層上形成將所述Sn層的表面合金化的金屬層的工序;和
分別對所述第1導(dǎo)電層和所述基底層進(jìn)行蝕刻的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能單電池的制造方法,其特征在于:
在對所述第1導(dǎo)電層和所述基底層分別進(jìn)行了蝕刻的工序后,還包括從所述Sn層除去所述金屬層的工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能單電池的制造方法,其特征在于:
所述金屬層的膜厚比所述第1導(dǎo)電層的膜厚厚。
4.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能單電池的制造方法,其特征在于:
所述第1導(dǎo)電層由Cu層構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能單電池的制造方法,其特征在于:
所述第2導(dǎo)電層由Cu層構(gòu)成。
6.一種太陽能單電池,其在半導(dǎo)體襯底的一個面上形成有用分離槽相互分離的p側(cè)電極和n側(cè)電極,所述太陽能單電池的特征在于,包括:
在所述半導(dǎo)體襯底的所述一個面上具有p型區(qū)域和n型區(qū)域的半導(dǎo)體襯底;
分別形成于所述p型區(qū)域和所述n型區(qū)域上的基底層;
形成于所述基底層上的第1導(dǎo)電層;
形成于所述第1導(dǎo)電層上的第2導(dǎo)電層;和
覆蓋所述第2導(dǎo)電層的Sn層,
所述Sn層的表面被合金化。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





