[發明專利]太陽能電池模組及其制備方法和刻劃設備在審
| 申請號: | 201811589519.2 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111370502A | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發明(設計)人: | 王正安 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 模組 及其 制備 方法 刻劃 設備 | ||
本發明提供一種太陽能電池模組及其制備方法和刻劃設備。一種太陽能電池模組,至少包括第一發電單元和第二發電單元,光吸收層上開設有溝槽,第一電極圖形與第二電極圖形的接觸面積大于溝槽在襯底基板上正投影的面積,其中,電接觸的第一電極圖形和第二電極圖形中的一個為第一發電單元的前電極,另一個第二發電單元的背電極。本發明實施例通過使第一電極圖形和第二電極圖形的接觸面積大于第二電極圖形經由的溝槽的截面積,能夠實現在各溝槽在襯底基板上的正投影的面積一定的情況下,增加第一電極圖形和第二電極圖形的接觸面積,有利于提高太陽能電池的發電效率。
技術領域
本發明涉及太陽能發電技術領域,尤其涉及一種太陽能電池模組及其制備方法和刻劃設備。
背景技術
太陽能電池模組通常包括多個串聯設置的發電單元,相鄰兩個太陽能電池的電極之間通過貫穿其中一個太陽能電池的光吸收層的溝槽相連。如果各溝槽在襯底基板上的正投影的面積過大,則會占用較多的光吸收層的面積,對發電效率造成影響,而如果各溝槽在襯底基板上的正投影的面積過小,則由該溝槽相接觸的兩個電極之間的接觸面積可能過小,會導致兩個太陽能電池之間的連接電阻增加,也會影響太陽能電池的發電效率。
發明內容
本發明實施例提供一種太陽能電池模組及其制備方法和刻劃設備,以解決的相串聯的兩個發電單元之間可能因連接電阻較大或占用光吸收層面積較大而影響發電效率的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種太陽能電池模組,至少包括第一發電單元和第二發電單元,且所述第一發電單元和所述第二發電單元串聯設置,所述太陽能電池模組至少包括襯底基板、位于所述襯底基板上的第一電極層、位于所述第一電極層上的光吸收層和位于所述光吸收層上的第二電極層,所述第一電極層包括多個互相絕緣的第一電極圖形,所述第二電極層包括多個互相絕緣的第二電極圖形;
所述光吸收層上開設有貫穿所述光吸收層的溝槽,一個第二電極圖形由所述溝槽延伸至所述第一電極層并與一個第一電極圖形電接觸,所述第一電極圖形與所述第二電極圖形的接觸面積大于所述溝槽在所述襯底基板上的正投影的面積,其中,電接觸的所述第一電極圖形和第二電極圖形中的一個為第一發電單元的前電極,另一個第二發電單元的背電極。
可選的,所述第一電極層與所述溝槽相對應的區域的至少一部分為凹凸不平的表面。
可選的,所述第一電極層與所述溝槽相對應的區域開設有多個沿該所述溝槽的長度方向的凹槽。
可選的,所述第一電極層靠近所述光吸收層的表面,在垂直于所述襯底基板且垂直于所述溝槽的長度方向的截面形狀呈波浪形或鋸齒形。
第二方面,本發明實施例還提供了一種太陽能電池模組的制備方法,用于制備以上任一項所述的所述太陽能電池模組,所述太陽能電池模組的制備方法包括:
在襯底基板上形成第一電極層,并在所述第一電極層上形成光吸收層;
在所述光吸收層上開設溝槽,所述溝槽貫穿所述光吸收層;
對所述第一電極層與所述溝槽相對應的區域進行加工,使所述第一電極層與所述溝槽相對應的區域的至少一部分形成凹凸不平的表面;
在所述光吸收層遠離所述襯底基板的一側形成第二電極層,其中,所述第二電極層的一部分位于所述溝槽內,且和所述第一電極層電接觸。
可選的,所述對所述第一電極層與所述溝槽相對應的區域進行加工,包括:
在所述第一電極層與所述溝槽相對應的區域開設多個沿該所述溝槽長度方向的凹槽。
第三方面,本發明實施例還提供了一種太陽能電池模組的刻劃設備,用于進行太陽能電池的P2刻劃,以形成以上任一項所述的太陽能電池模組的P2溝槽;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司,未經北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811589519.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





