[發(fā)明專利]太陽能電池模組及其制備方法和刻劃設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811589519.2 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111370502A | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王正安 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 模組 及其 制備 方法 刻劃 設備 | ||
1.一種太陽能電池模組,其特征在于,至少包括第一發(fā)電單元和第二發(fā)電單元,且所述第一發(fā)電單元和所述第二發(fā)電單元串聯設置,所述太陽能電池模組至少包括襯底基板、位于所述襯底基板上的第一電極層、位于所述第一電極層上的光吸收層和位于所述光吸收層上的第二電極層,所述第一電極層包括多個互相絕緣的第一電極圖形,所述第二電極層包括多個互相絕緣的第二電極圖形;
所述光吸收層上開設有貫穿所述光吸收層的溝槽,一個第二電極圖形由所述溝槽延伸至所述第一電極層并與一個第一電極圖形電接觸,所述第一電極圖形與所述第二電極圖形的接觸面積大于所述溝槽在所述襯底基板上的正投影的面積,其中,電接觸的所述第一電極圖形和第二電極圖形中的一個為第一發(fā)電單元的前電極,另一個第二發(fā)電單元的背電極。
2.如權利要求1所述的太陽能電池模組,其特征在于,所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域的至少一部分為凹凸不平的表面。
3.如權利要求2所述的太陽能電池模組,其特征在于,所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域開設有多個沿該所述溝槽的長度方向的凹槽。
4.如權利要求3所述的太陽能電池模組,其特征在于,所述第一電極層靠近所述光吸收層的表面,在垂直于所述襯底基板且垂直于所述溝槽的長度方向的截面形狀呈波浪形或鋸齒形。
5.一種太陽能電池模組的制備方法,其特征在于,用于制備權利要求1至4任一項所述的所述太陽能電池模組,所述太陽能電池模組的制備方法包括:
在襯底基板上形成第一電極層,并在所述第一電極層上形成光吸收層;
在所述光吸收層上開設溝槽,所述溝槽貫穿所述光吸收層;
對所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域進行加工,使所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域的至少一部分形成凹凸不平的表面;
在所述光吸收層遠離所述襯底基板的一側形成第二電極層,其中,所述第二電極層的一部分位于所述溝槽內,且和所述第一電極層電接觸。
6.如權利要求5所述的太陽能電池模組的制備方法,其特征在于,所述對所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域進行加工,包括:
在所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域開設多個沿該所述溝槽長度方向的凹槽。
7.一種太陽能電池模組的刻劃設備,其特征在于,用于進行太陽能電池的P2刻劃,以形成權利要求1至4中任一項所述的太陽能電池模組的P2溝槽;
所述太陽能電池模組的刻劃設備包括第一刻劃組件和第二刻劃組件,所述第一刻劃組件包括第一刻針,所述第一刻針用于在所述光吸收層上刻劃形成貫穿所述光吸收層的所述溝槽,所述第二刻劃組件用于刻劃所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域,以使所述第一電極層與所述溝槽相對應的區(qū)域的至少一部分形成凹凸不平的表面。
8.如權利要求7所述的太陽能電池模組的制備方法,其特征在于,所述第二刻劃組件包括第二刻針,所述第二刻針的針頭上開設有多個凸起結構。
9.如權利要求8所述的太陽能電池模組的制備方法,其特征在于,多個所述凸起結構并列設置,且各所述凸起結構的方向均沿所述第二刻針的刻劃方向設置。
10.如權利要求7所述的太陽能電池模組的制備方法,其特征在于,所述第二刻劃組件為激光刻劃組件。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





