[發(fā)明專利]銅互連結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811589084.1 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111370363A | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王德進(jìn);周耀輝 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種銅互連結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
形成銅互連槽;
在所述銅互連槽內(nèi)沉積Mn-Co-Cu合金;
對所述Mn-Co-Cu合金進(jìn)行熱處理,以通過所述Mn-Co-Cu合金中的Mn在所述銅互連槽內(nèi)形成擴(kuò)散阻擋層,通過所述Mn-Co-Cu合金中的Cu在所述銅互連槽內(nèi)形成籽晶層,以獲得銅互連結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述擴(kuò)散阻擋層形成于所述銅互連槽的內(nèi)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,采用物理氣相沉積方式沉積所述Mn-Co-Cu合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,采用真空紫外線對晶面和/或晶背加熱,以對所述Mn-Co-Cu合金進(jìn)行熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述熱處理的溫度取值范圍為150℃~250℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述熱處理的時間為20min~30min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述Mn-Co-Cu合金中的Mn含量為15%~35%,Co含量為0.5%~3.5%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成銅互連槽之前,所述方法還包括:
提供襯底;
在所述襯底上依次形成刻蝕停止層和介質(zhì)層,所述介質(zhì)層形成于所述刻蝕停止層上;所述擴(kuò)散阻擋層形成于所述介質(zhì)層和所述籽晶層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述介質(zhì)層的材料為低介電常數(shù)介質(zhì)。
10.一種銅互連結(jié)構(gòu),形成于銅互連槽內(nèi),其特征在于,包括:
籽晶層,為Mn-Co-Cu合金材質(zhì);
擴(kuò)散阻擋層,包圍所述籽晶層,所述擴(kuò)散阻擋層至少包括錳氧化物。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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