[發(fā)明專(zhuān)利]正入射式光電芯片及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811587825.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109801985A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市芯思杰智慧傳感技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0216
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125;H01L31/18
• 代理公司: 深圳智匯遠(yuǎn)見(jiàn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481
• 代理人: 田俊峰

本發(fā)明涉及光通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種正入射式光電芯片及其制備方法，一種正入射式光電芯片，所述芯片上開(kāi)設(shè)分光孔，所述分光孔貫穿所述芯片的吸收層；所述芯片的正面上還設(shè)有吸光區(qū)和第一電極，所述第一電極位于所述吸光區(qū)的外側(cè)；以所述芯片的正面為入光側(cè)，入射光的一部分從所述分光孔透射分出，入射光的另一部分從所述吸光區(qū)進(jìn)入到所述吸收層內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換；故本發(fā)明提供的正入射式光電芯片既能夠分光，又能夠?qū)θ肷涔獾墓夤β蔬M(jìn)行監(jiān)控；進(jìn)而使用本發(fā)明提供的芯片的光路系統(tǒng)，無(wú)須使用光分路器進(jìn)行分光，減少了系統(tǒng)體積，也降低了成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種正入射式光電芯片及其制備方法。

背景技術(shù)

激光器發(fā)射的光信號(hào)經(jīng)光纖傳輸進(jìn)入無(wú)源光波導(dǎo)(PLC)之前，通常需要光分路器分出部分(例如5％)光信號(hào)到另外的光接收芯片上，進(jìn)行光功率監(jiān)控。剩余(例如95％)的光信號(hào)通過(guò)光纖耦合到光波導(dǎo)，進(jìn)行傳輸。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提供一種正入射式光電芯片及其制備方法，該芯片既能夠?qū)崿F(xiàn)分光，又能夠?qū)崿F(xiàn)光功率的監(jiān)控。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種正入射式光電芯片，所述芯片上開(kāi)設(shè)分光孔，所述分光孔貫穿所述芯片的吸收層；

所述芯片的正面上還設(shè)有吸光區(qū)和第一電極，所述第一電極位于所述吸光區(qū)的外側(cè)；

以所述芯片的正面為入光側(cè)，入射光的一部分從所述分光孔透射分出，入射光的另一部分從所述吸光區(qū)進(jìn)入到所述吸收層內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。

本發(fā)明提供的正入射式光電芯片設(shè)置了分光孔，分光孔貫穿吸收層。芯片的正面上還設(shè)有吸光區(qū)。入射光從芯片正面的一側(cè)射入芯片，一部分光從分光孔透射分出，因?yàn)檫@部分光可通過(guò)分光孔未經(jīng)過(guò)吸收層而無(wú)損穿過(guò)芯片，繼續(xù)進(jìn)行光信號(hào)傳輸；而另一部分光就會(huì)從吸光區(qū)進(jìn)入到吸收層內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生光生載流子，從而對(duì)入射光的光功率進(jìn)行有效監(jiān)控。故本發(fā)明提供的正入射式光電芯片既能夠分光，又能夠?qū)θ肷涔獾墓夤β蔬M(jìn)行監(jiān)控。進(jìn)而使用本發(fā)明提供的芯片的光路系統(tǒng)，無(wú)須使用光分路器進(jìn)行分光，減少了系統(tǒng)體積，也降低了成本。

進(jìn)一步地，還包括頂層，所述頂層內(nèi)設(shè)有光敏區(qū)；所述光敏區(qū)的內(nèi)端與所述吸收層相連接，所述光敏區(qū)的外端與所述第一電極相連接；所述吸光區(qū)與所述光敏區(qū)有重疊區(qū)域；所述分光孔向所述芯片正面的方向開(kāi)口并貫穿所述頂層。

進(jìn)一步地，還包括襯底，所述芯片的背面上設(shè)有第二電極，所述第二電極與所述襯底相連接。

進(jìn)一步地，所述襯底與所述吸收層之間還設(shè)有緩沖層，所述分光孔的內(nèi)端位于所述緩沖層。

進(jìn)一步地，所述吸光區(qū)內(nèi)設(shè)有入光增透膜。

進(jìn)一步地，所述分光孔的內(nèi)端設(shè)有透光增透膜。

進(jìn)一步地，所述芯片的背面設(shè)有出光增透膜，所述出光增透膜的面積大于所述分光孔沿平行于所述芯片表面方向的橫截面積。

進(jìn)一步地，所述分光孔貫穿所述芯片的部分或全部。

進(jìn)一步地，所述光敏區(qū)沿平行于所述芯片表面方向的橫截面呈環(huán)形并圍繞所述分光孔設(shè)置，所述吸光區(qū)呈環(huán)形并圍繞所述分光孔設(shè)置，所述第一電極沿平行于所述芯片表面方向的橫截面呈環(huán)形并圍繞所述吸光區(qū)設(shè)置。

本發(fā)明還提供一種正入射式光電芯片的制備方法，包括：

形成吸收層；

在所述芯片上開(kāi)設(shè)分光孔，所述分光孔貫穿所述吸收層；

在所述芯片的正面形成吸光區(qū)；

在所述芯片的正面制作第一電極，所述第一電極位于所述吸光區(qū)的外側(cè)。

附圖說(shuō)明