[發明專利]正入射式光電芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 201811587825.2 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109801985A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏 | 申請（專利權）人： | 深圳市芯思杰智慧傳感技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分光 光電芯片 正入射 芯片 入射光 吸光區 第一電極 吸收層 制備 光通信傳輸 光電轉換 光分路器 光路系統 光功率 透射 分出 監控 貫穿 | ||
1.一種正入射式光電芯片，其特征在于：所述芯片上開設分光孔，所述分光孔貫穿所述芯片的吸收層；
所述芯片的正面上還設有吸光區和第一電極，所述第一電極位于所述吸光區的外側；
以所述芯片的正面為入光側，入射光的一部分從所述分光孔透射分出，入射光的另一部分從所述吸光區進入到所述吸收層內進行光電轉換。
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：還包括頂層，所述頂層內設有光敏區；所述光敏區的內端與所述吸收層相連接，所述光敏區的外端與所述第一電極相連接；所述吸光區與所述光敏區有重疊區域；所述分光孔向所述芯片正面的方向開口并貫穿所述頂層。
3.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于：還包括襯底，所述芯片的背面上設有第二電極，所述第二電極與所述襯底相連接。
4.根據權利要求3所述的芯片，其特征在于：所述襯底與所述吸收層之間還設有緩沖層，所述分光孔的內端位于所述緩沖層。
5.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述吸光區內設有入光增透膜。
6.根據權利要求3所述的芯片，其特征在于：所述分光孔的內端設有透光增透膜。
7.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面設有出光增透膜，所述出光增透膜的面積大于所述分光孔沿平行于所述芯片表面方向的橫截面積。
8.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述分光孔貫穿所述芯片的部分或全部。
9.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述光敏區沿平行于所述芯片表面方向的橫截面呈環形并圍繞所述分光孔設置，所述吸光區呈環形并圍繞所述分光孔設置，所述第一電極沿平行于所述芯片表面方向的橫截面呈環形并圍繞所述吸光區設置。
10.一種正入射式光電芯片的制備方法，其特征在于：包括：
形成吸收層；
在所述芯片上開設分光孔，所述分光孔貫穿所述吸收層；
在所述芯片的正面形成吸光區；
在所述芯片的正面制作第一電極，所述第一電極位于所述吸光區的外側。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
