[發明專利]用于限定從基底突出的鰭的長度的方法

有效

• 申請號: 201811581609.7
• 申請日: 2018-12-24
• 公開（公告）號: CN109979814B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 金慶燮;田炅燁;韓澀琪
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;劉燦強

1.一種用于限定從基底突出的鰭的長度的方法，所述方法包括下述步驟：

在鰭上設置掩模材料層，鰭從基底突出并在第一方向上水平地延伸；

使用多個硬掩模圖案在掩模材料層上形成多個第一切片壁，所述多個第一切片壁在第二方向上水平地延伸，第二方向與第一方向交叉；

在所述多個第一切片壁和掩模材料層上設置第一絕緣層；

在第一絕緣層上設置多個填充掩模圖案，并且將所述多個填充掩模圖案設置為使所述多個填充掩模圖案相對于所述多個第一切片壁自對準，以暴露位于所述多個第一切片壁中的一個或更多個成對的相鄰第一切片壁之間的一個或更多個選定區域；

去除位于所述暴露的一個或更多個選定區域處的第一絕緣層和所述多個填充掩模圖案；

在所述暴露的一個或更多個選定區域處分別設置一個或更多個第二切片壁；

在第一絕緣層、所述多個第一切片壁以及所述一個或更多個第二切片壁上設置第二絕緣層；

在第二絕緣層上設置包括一個或更多個開口的修整掩模圖案，使得修整掩模圖案相對于所述一個或更多個第二切片壁自對準，以暴露所述多個第一切片壁中的一個或更多個；

去除所述多個第一切片壁中的由修整掩模圖案暴露的所述一個或更多個；

去除修整掩模圖案以及第一絕緣層和第二絕緣層；

使用所述多個第一切片壁中的保留的第一切片壁和所述一個或更多個第二切片壁來將掩模材料層圖案化，以形成多個鰭切除掩模圖案；以及

使用所述多個鰭切除掩模圖案切除鰭。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述多個第一切片壁的步驟包括：

在掩模材料層上設置第一材料層；

在第一材料層上設置所述多個硬掩模圖案；以及

使用所述多個硬掩模圖案將第一材料層圖案化，以形成所述多個第一切片壁。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，設置所述多個硬掩模圖案的步驟包括：

在第一材料層上設置多個心軸結構，所述多個心軸結構在第二方向上延伸；

在所述多個心軸結構的側壁上形成多個間隔部；以及

去除所述多個心軸結構，以留下所述多個間隔部作為所述多個硬掩模圖案。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述多個間隔部的步驟包括使所述多個間隔部中的一個或更多個選定的成對的間隔部形成為彼此合并。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述多個間隔部和第一材料層彼此具有蝕刻選擇性。

6.根據權利要求3所述的方法，其中，設置所述多個心軸結構的步驟包括：

在第一材料層上設置心軸材料層；

在心軸材料層上設置心軸掩模圖案；

使用心軸掩模圖案將心軸材料層圖案化；以及

去除心軸掩模圖案。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述多個填充掩模圖案的步驟包括：設置相對于所述多個第一切片壁自對準的所述多個填充掩模圖案，使得所述多個填充掩模圖案的沿第二方向延伸的第一側面分別與所述多個第一切片壁中的相應的第一切片壁的中心位置對準。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，設置修整掩模圖案的步驟包括：設置相對于所述多個第二切片壁自對準的修整掩模圖案，使得所述一個或更多個開口的沿第二方向延伸的第一側面分別與所述多個第二切片壁中的相應的第二切片壁的中心位置對準。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，設置所述一個或更多個第二切片壁的步驟包括：

去除位于由填充掩模圖案暴露的所述一個或更多個選定區域處的第一絕緣層以及填充掩模圖案；

在第一絕緣層上設置第二材料層以填充所述一個或更多個選定區域；以及

回蝕刻第二材料層以在所述一個或更多個選定區域處分別形成所述一個或更多個第二切片壁。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個第一切片壁和所述一個或更多個第二切片壁彼此具有蝕刻選擇性。