[發(fā)明專(zhuān)利]一種盤(pán)型激光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811580248.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109638647B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張昭宇;周陶杰;項(xiàng)國(guó)洪;方鉉;項(xiàng)博媛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 香港中文大學(xué)（深圳） |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01S5/20 | 分類(lèi)號(hào)： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 逯恒 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 激光 器件 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一盤(pán)型激光器件包括襯底、形成于所述襯底上的缺陷抑制層、形成于所述缺陷抑制層上的緩沖層、形成于所述緩沖層上的犧牲層及形成于所述犧牲層上的有源區(qū)；所述盤(pán)型激光器件的直徑為0.5～10um。本發(fā)明的盤(pán)型激光器件包括襯底、形成于襯底上的缺陷抑制層、形成于缺陷抑制層上的緩沖層、形成于緩沖層上的犧牲層及形成于犧牲層上的有源區(qū)；盤(pán)型激光器件的直徑為0.5～10um；不僅尺寸小，能夠很好地應(yīng)用于大面積及高密度集成的硅基光芯片，且該盤(pán)型激光器件具有優(yōu)良的發(fā)光強(qiáng)度及閾值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光通訊技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種盤(pán)型激光器件。
背景技術(shù)
硅光子技術(shù)是一種基于硅的光通訊技術(shù)。然而由于硅本身屬于一種間接帶隙的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料，其發(fā)光性能相對(duì)直接帶隙的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料差很多。因此，硅基光芯片通常需要外部耦合一種無(wú)機(jī)半導(dǎo)體激光器件做為光通訊所需光源，比如波導(dǎo)型(FP)激光器件、分布式反饋(DFB)激光器件及垂直腔面(VCSEL)發(fā)射激光器件。然而，這種方式會(huì)增加激光器與硅芯片的耦合成本，而且，波導(dǎo)型(FP)激光器件、分布式反饋(DFB)激光器件及垂直腔面(VCSEL)發(fā)射激光器件的尺寸較大，不利于適用于大面積及高密度集成的硅基光芯片。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供的一種盤(pán)型激光器件，更好地克服了上述現(xiàn)有技術(shù)客觀存在的問(wèn)題和缺陷，該盤(pán)型激光器件包括襯底、形成于襯底上的缺陷抑制層、形成于缺陷抑制層上的緩沖層、形成于緩沖層上的犧牲層及形成于犧牲層上的有源區(qū)；盤(pán)型激光器件的直徑為0.5～10um；不僅尺寸小，能夠很好地應(yīng)用于大面積及高密度集成的硅基光芯片，且該盤(pán)型激光器件具有優(yōu)良的發(fā)光性能及閾值。
一種盤(pán)型激光器件，包括襯底、形成于所述襯底上的缺陷抑制層、形成于所述缺陷抑制層上的緩沖層、形成于所述緩沖層上的犧牲層及形成于所述犧牲層上的有源區(qū)；
所述盤(pán)型激光器件的直徑為0.5～10um。
在某種實(shí)施方式中，所述襯底采用硅襯底；所述襯底的厚度為0.7～1.2um。
在某種實(shí)施方式中，所述缺陷抑制層的材料為InGaAs/GaAs超晶格；所述缺陷抑制層的厚度為3～4um。
在某種實(shí)施方式中，所述緩沖層的材料為GaAs；所述緩沖層的厚度為2.2～3um。
在某種實(shí)施方式中，所述犧牲層的材料為AlxGa1-xAs，其中x為0.6～0.9；所述犧牲層的厚度為1.3～2um。
在某種實(shí)施方式中，所述有源區(qū)包括3層或4層有源層；所述有源區(qū)的厚度為350～380nm。
在某種實(shí)施方式中，所述有源層包括In0.15Ga0.85As量子阱和限制在In0.15Ga0.85As量子阱中的InAs量子點(diǎn)。
在某種實(shí)施方式中，所述盤(pán)型激光器件還包括形成于所述有源區(qū)上的蓋層。
在某種實(shí)施方式中，所述蓋層包括形成于所述有源區(qū)上的第一蓋層和形成于所述第一蓋層上的第二蓋層，所述第一蓋層的材料為Al0.4GaAs，所述第二蓋層的材料為GaAs。
在某種實(shí)施方式中，所述第一蓋層的厚度為100～150nm；所述第二蓋層的厚度為8～12nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一種盤(pán)型激光器件的有益效果是：
本發(fā)明的盤(pán)型激光器件包括襯底、形成于襯底上的缺陷抑制層、形成于缺陷抑制層上的緩沖層、形成于緩沖層上的犧牲層及形成于犧牲層上的有源區(qū)；盤(pán)型激光器件的直徑為0.5～10um；不僅尺寸小，能夠很好地應(yīng)用于大面積及高密度集成的硅基光芯片，且該盤(pán)型激光器件具有優(yōu)良的發(fā)光強(qiáng)度及閾值。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于香港中文大學(xué)（深圳），未經(jīng)香港中文大學(xué)（深圳）許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811580248.4/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
