[發(fā)明專利]一種盤型激光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811580248.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109638647B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張昭宇;周陶杰;項(xiàng)國(guó)洪;方鉉;項(xiàng)博媛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 香港中文大學(xué)（深圳） |
| 主分類號(hào)： | H01S5/20 | 分類號(hào)： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 逯恒 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 激光 器件 | ||
1.一種盤型激光器件，其特征在于：包括襯底、形成于所述襯底上的缺陷抑制層、形成于所述缺陷抑制層上的緩沖層、形成于所述緩沖層上的犧牲層及形成于所述犧牲層上的有源區(qū)；所述襯底采用硅襯底；所述缺陷抑制層的材料為InGaAs/GaAs超晶格；所述緩沖層的材料為GaAs；所述犧牲層的材料為AlxGa1-xAs，其中x為0.6～0.9；所述有源區(qū)包括有源層；所述有源層包括In0.15Ga0.85As量子阱和限制在In0.15Ga0.85As量子阱中的InAs量子點(diǎn)；
所述盤型激光器件的直徑為0.5～10um。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述襯底的厚度為0.7～1.2um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述缺陷抑制層的厚度為3～4um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述緩沖層的厚度為2.2～3um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述犧牲層的厚度為1.3～2um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述有源區(qū)包括3層或4層有源層；所述有源區(qū)的厚度為350～380nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述盤型激光器件還包括形成于所述有源區(qū)上的蓋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的盤型激光器件，其特征在于：所述蓋層包括形成于所述有源區(qū)上的第一蓋層和形成于所述第一蓋層上的第二蓋層，所述第一蓋層的材料為Al0.4GaAs，所述第二蓋層的材料為GaAs。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的盤型激光器件，其特征在于：所述第一蓋層的厚度為100～150nm；所述第二蓋層的厚度為8～12nm。
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