[發明專利]一種盤型激光器件有效
| 申請號： | 201811580248.4 | 申請日： | 2018-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN109638647B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發明（設計）人： | 張昭宇;周陶杰;項國洪;方鉉;項博媛 | 申請（專利權）人： | 香港中文大學（深圳） |
| 主分類號： | H01S5/20 | 分類號： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 逯恒 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 激光 器件 | ||
1.一種盤型激光器件，其特征在于：包括襯底、形成于所述襯底上的缺陷抑制層、形成于所述缺陷抑制層上的緩沖層、形成于所述緩沖層上的犧牲層及形成于所述犧牲層上的有源區；所述襯底采用硅襯底；所述缺陷抑制層的材料為InGaAs/GaAs超晶格；所述緩沖層的材料為GaAs；所述犧牲層的材料為AlxGa1-xAs，其中x為0.6～0.9；所述有源區包括有源層；所述有源層包括In0.15Ga0.85As量子阱和限制在In0.15Ga0.85As量子阱中的InAs量子點；
所述盤型激光器件的直徑為0.5～10um。
2.根據權利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述襯底的厚度為0.7～1.2um。
3.根據權利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述缺陷抑制層的厚度為3～4um。
4.根據權利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述緩沖層的厚度為2.2～3um。
5.根據權利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述犧牲層的厚度為1.3～2um。
6.根據權利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述有源區包括3層或4層有源層；所述有源區的厚度為350～380nm。
7.根據權利要求1所述的盤型激光器件，其特征在于：所述盤型激光器件還包括形成于所述有源區上的蓋層。
8.根據權利要求7所述的盤型激光器件，其特征在于：所述蓋層包括形成于所述有源區上的第一蓋層和形成于所述第一蓋層上的第二蓋層，所述第一蓋層的材料為Al0.4GaAs，所述第二蓋層的材料為GaAs。
9.根據權利要求8所述的盤型激光器件，其特征在于：所述第一蓋層的厚度為100～150nm；所述第二蓋層的厚度為8～12nm。
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