[發明專利]多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法有效
| 申請號: | 201811579623.3 | 申請日: | 2018-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN110828171B | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發明(設計)人: | 樸龍;趙志弘;洪奇杓 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/224 | 分類號: | H01G4/224;H01G4/30;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 武慧南;祝玉媛 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電容器 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器,所述多層陶瓷電容器包括:
陶瓷主體,包括介電層,并且具有彼此相對的第一表面和第二表面、將所述第一表面和所述第二表面連接的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相對的第五表面和第六表面;
多個內電極,設置在所述陶瓷主體中,暴露到所述第一表面和所述第二表面,并且分別具有暴露到所述第三表面和所述第四表面的一端;以及
第一側邊緣部和第二側邊緣部,分別設置在所述第一表面和所述第二表面上,
其中,所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中的每個被分成與相應的側邊緣部的外側表面相鄰的第一區域以及與暴露到所述第一表面的內電極或暴露到所述第二表面的內電極相鄰的第二區域,并且
所述第二區域中包含的鎂的含量高于相應的所述第一區域中包含的鎂的含量。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側邊緣部的第二區域中包含的鎂的含量基于所述第一側邊緣部中包含的100摩爾的鈦在10摩爾至30摩爾的范圍內,所述第二側邊緣部的第二區域中包含的鎂的含量基于所述第二側邊緣部中包含的100摩爾的鈦在10摩爾至30摩爾的范圍內。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與在所述多個內電極堆疊的方向上設置在所述陶瓷主體的最外部分中的內電極的端部接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述多個內電極中的在所述多個內電極堆疊的方向上設置在所述陶瓷主體的中央部分中的內電極的端部接觸的區域的厚度的比在0.9至1.0的范圍內。
4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述陶瓷主體的角部接觸的區域的厚度與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部的與所述多個內電極中的在所述多個內電極堆疊的方向上設置在所述陶瓷主體的中央部分中的內電極的端部接觸的區域的厚度的比在0.9至1.0的范圍內。
5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述介電層的厚度為0.4μm或更小,所述內電極的厚度為0.4μm或更小。
6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部的平均厚度在2μm至10μm的范圍內。
7.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一區域的厚度為10μm或更小,所述第二區域的厚度為3μm或更小。
8.一種制造多層陶瓷電容器的方法,所述方法包括:
制備第一陶瓷生片和第二陶瓷生片,在所述第一陶瓷生片上形成有多個第一內電極圖案,所述多個第一內電極圖案之間具有預定間隔,在所述第二陶瓷生片上形成有多個第二內電極圖案,所述多個第二內電極圖案之間具有預定間隔;
通過堆疊所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片使得所述第一內電極圖案和所述第二內電極圖案彼此交替而形成陶瓷生片層疊體;
切割所述陶瓷生片層疊體,以具有使所述第一內電極圖案和所述第二內電極圖案中的每個的相對的端部在寬度方向上暴露的側表面;
在使所述第一內電極圖案和所述第二內電極圖案的所述相對的端部暴露的所述側表面上形成第一側邊緣部和第二側邊緣部;以及
通過燒結具有所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部的切割的所述陶瓷生片層疊體來制備包括介電層以及第一內電極和第二內電極的陶瓷主體,
其中,所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中的每個被分成與相應的側邊緣部的外側表面相鄰的第一區域以及與所述第一內電極和所述第二內電極相鄰的第二區域,所述第二區域中包含的鎂的含量高于相應的所述第一區域中包含的鎂的含量。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,在所述燒結后,所述第一側邊緣部的第二區域中包含的鎂的含量基于所述第一側邊緣部中包含的100摩爾的鈦在10摩爾至30摩爾的范圍內,所述第二側邊緣部的第二區域中包含的鎂的含量基于所述第二側邊緣部中包含的100摩爾的鈦在10摩爾至30摩爾的范圍內。
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