[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201811579086.2
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN110034112B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 筒井孝幸;大部功
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H03F1/02;H03F3/189;H03F3/21
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

本發明提供一種在高頻功率放大中能夠進行更高效動作的半導體裝置。在基板上形成有相互并聯連接的多個單位晶體管。進而，在基板上設置有接地用凸起。按多個單位晶體管的每一個配置的第一電容元件連接單位晶體管的輸出電極和接地用凸起。

技術領域

本發明涉及半導體裝置。

背景技術

作為搭載于便攜終端的主要部件之一，有高頻功率放大器。為了便攜終端的傳送容量的大容量化，對多個頻帶進行處理的技術，例如載波聚合等技術受到關注。隨著處理的頻帶的增大，便攜終端的包括無線頻率用的功率放大器、濾波器、開關等在內的前端的電路結構變得復雜。

進而，在第五代移動通信系統中，為了利用sub-6GHz的頻帶和10GHz以上的頻帶，前端的電路結構變得更復雜。若前端的電路結構復雜化則功率放大器的負載損耗增大，因此，功率放大器除了被要求應對多個頻帶外，還被要求高輸出化。

在下述的非專利文獻1中公開了進行高效率的F類放大動作的功率放大器。在F類放大動作中，調整匹配電路，使得負載阻抗在偶次諧波(even-order?harmonic)下為0(短路)，在奇次諧波(odd-order?harmonic)下無限大(開路)。在非專利文獻1中，公開了使二次諧波的負載阻抗為短路，并使三次諧波的負載阻抗為開路的串聯諧振電路。此外，也能夠使二次諧波的負載阻抗為開路且使三次諧波的負載阻抗為短路而實現高效率，這樣的放大動作被稱為逆F類放大動作。

在先技術文獻

非專利文獻

非專利文獻1：IEEE?Trans.on?Microwave?Theory?and?Techniques，Vol.56，No.1，January?2008

發明內容

發明要解決的課題

為了得到高輸出，有時將多個單位晶體管并聯連接而構成輸出級的晶體管。例如，多個單位晶體管形成于基板，各單位晶體管的集電極與共用的輸出布線連接。用于F類放大動作或者逆F類放大動作的串聯諧振電路與該輸出布線連接。根據本申請發明者們對具有多個單位晶體管的高頻放大電路進行的模擬可知，輸出布線所具有的電感分量成為高效率動作的障礙。

本發明的目的在于提供一種在高頻功率放大中能夠進行更高效動作的半導體裝置。

用于解決課題的手段

本發明的一個方面的半導體裝置具有：

相互并聯連接的多個單位晶體管，形成于基板上，各單位晶體管包括取出輸出信號的輸出電極、被提供輸入信號的輸入電極以及共用電極；

接地用凸起，設置于所述基板上；和

第一電容元件，按多個所述單位晶體管的每一個配置，連接所述單位晶體管的所述輸出電極與所述接地用凸起。

發明效果

第一電容元件的電容和從單位晶體管至接地用凸起的電流路以及接地用凸起的電感分量作為諧波終止用的串聯諧振電路發揮功能。按每個單位晶體管設置第一電容元件，因此，能夠使從多個單位晶體管分別觀察串聯諧振電路時的諧振頻率均勻。例如，通過使諧波終止用的串聯諧振電路的諧振頻率均勻，從而能夠使功率放大電路高效率地動作。

附圖說明

圖1是第一實施例的半導體裝置的等效電路圖。

圖2是第一實施例的半導體裝置的俯視圖。

圖3是放大了第一實施例的半導體裝置的一個單位晶體管以及其附近的俯視圖。

圖4是圖3的單點劃線4-4處的剖視圖。

圖5是圖3的單點劃線5-5處的剖視圖。