[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201811579086.2
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN110034112B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 筒井孝幸;大部功
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H03F1/02;H03F3/189;H03F3/21
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

1.一種半導體裝置，具有：

相互并聯連接的多個單位晶體管，形成于基板上，各單位晶體管包括取出輸出信號的輸出電極、被提供輸入信號的輸入電極以及共用電極；

接地用凸起，設置于所述基板上；和

第一電容元件，按多個所述單位晶體管的每一個配置，連接所述單位晶體管的所述輸出電極與所述接地用凸起，

在俯視時，多個所述第一電容元件配置在所述接地用凸起的內側，

多個所述單位晶體管各自的所述共用電極以及所述第一電容元件經由發射極布線和接地用凸起具有的電感分量連接到同一接地，

多個所述單位晶體管各自的所述輸出電極經由共用的輸出布線連接到輸出端子，

所述輸出布線具有彼此串聯連接的多個電感分量，所述多個電感分量的每一個在一端連接到多個所述單位晶體管中對應的一個單位晶體管的輸出電極。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

并聯連接多個所述第一電容元件而得到的合成電容為5pF以下。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置還具有第二電容元件，該第二電容元件按多個所述單位晶體管的每一個配置，并連接所述單位晶體管的所述輸入電極與所述接地用凸起。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

從所述單位晶體管的所述輸出電極經由所述第一電容元件到所述接地用凸起的電流路及所述接地用凸起所具有的電感分量、和所述第一電容元件的電容構成諧波終止用的串聯諧振電路。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置還具有：

絕緣膜，形成于所述基板上，并覆蓋多個所述單位晶體管；

接地布線，形成于所述絕緣膜上，通過設置于所述絕緣膜的多個第一開口與多個所述單位晶體管的所述共用電極連接；和

保護膜，形成于所述絕緣膜上，并覆蓋所述接地布線，

所述接地用凸起配置在所述保護膜上，通過設置于所述保護膜的多個第二開口與所述接地布線連接，

在俯視時，多個所述第二開口配置在所述接地用凸起的內側。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述第一電容元件在俯視時與所述第二開口重疊。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

多個所述單位晶體管的每一個是包括集電極層、基極層以及發射極層的雙極晶體管，

在俯視時，各個所述第二開口從發射極電流流過的區域到配置有所述第一電容元件的區域連續。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

多個所述第一電容元件的電容大致相同，從多個所述單位晶體管的所述輸出電極經由所述第一電容元件至所述接地用凸起的電流路所具有的電感分量大致相同。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

在俯視時，在多個所述單位晶體管之間，所述輸出電極與所述第一電容元件的相對位置關系相同。

10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

多個所述第一電容元件的電容大致相同，多個所述單位晶體管被分類為多個組，多個所述單位晶體管屬于各個所述組，從屬于相同的所述組的所述單位晶體管的所述輸出電極經由所述第一電容元件至所述接地用凸起的電流路所具有的電感分量大致相同。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，

在俯視時，在相同的所述組內，所述輸出電極與所述第一電容元件的相對位置關系相同，在不同的所述組之間，所述輸出電極與所述第一電容元件的相對位置關系不同。