[發明專利]Nb-Si基超高溫合金基體表面金屬Mo-Re復合膜及電鍍方法在審
| 申請號: | 201811578512.0 | 申請日: | 2018-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN109609985A | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 郭喜平;岳高;喬彥強 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | C25D3/54 | 分類號: | C25D3/54;C25D5/10 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710072 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合膜 陰極 基超高溫合金 陽極 采用直流 基體表面 電鍍 電鍍法 沉積 連通 離子 配制 電路 預處理 電化學沉積法 金屬 醋酸鹽溶液 檸檬酸溶液 沉積金屬 高純石墨 實驗參數 雙層結構 制備工藝 過飽和 金屬Mo 粘接層 層厚 吹干 膜層 洗凈 | ||
本發明涉及一種Nb?Si基超高溫合金基體表面金屬Mo?Re復合膜及電鍍方法,膜層為雙層結構,由外至內依次為Mo層和Re粘接層,制備工藝為電化學沉積法,其方法是:將預處理后的基體作為陰極,高純石墨為陽極,置于預先配制好的含ReO4?離子的檸檬酸溶液中并連通電路,采用直流電鍍法沉積一層厚約4?5μm的金屬Re膜;然后將試樣洗凈吹干繼續作為陰極,Pt片作為陽極,置于預先配制好的含Mo7O246?離子的過飽和醋酸鹽溶液中并連通電路,采用直流電鍍法沉積金屬Mo膜。通過控制實驗參數,可在Re膜上沉積不同厚度和組成的Mo膜,從而獲得結合良好的Mo?Re復合膜。
技術領域
本發明屬于電化學表面改性技術領域,涉及一種Nb-Si基超高溫合金基體表面金屬Mo-Re復合膜及電鍍方法。
背景技術
MoSi2具有密度低、熔點高、高溫抗氧化性能優異等特點,可用作Nb-Si基超高溫合金表面的抗氧化涂層。制備MoSi2涂層一般是采用先沉積Mo膜,然后再高溫包埋滲Si處理的兩步法,然而現有的Mo膜制備方法昂貴且過程復雜,不利于推廣。電鍍法簡便易行,得到的鍍層均勻致密、與基體結合良好,同時受基體形狀的限制較小。近年來,雖然有不少運用直流電鍍法從過飽和醋酸鹽溶液體系中沉積金屬態Mo膜的報道,但尚未運用于Nb-Si基超高溫合金表面Mo膜的制備,且直接在其表面電鍍Mo膜可能存在以下問題:(1)沉積效率低,Mo膜生長速率慢,膜層較薄;(2)Mo膜純度低,雜質含量高,不能滿足后續要求。鍍膜的質量與陰極材質密切相關,陰極材料導電性以及與Mo的相容性越好,得到的Mo膜越致密,純度越高。而Nb-Si基超高溫合金為硅化物Nb5Si3和Nb基固溶體自生復合而成的材料,其導電性以及與Mo相容性均較差,得到的鍍膜結構疏松且氧含量高,影響后續制備的MoSi2涂層質量,因此需要對Nb-Si基超高溫合金進行表面改性。此外,高溫下MoSi2涂層與Nb-Si基超高溫合金界面相容性較差,元素互擴散嚴重,降低涂層的使用壽命以及基體的力學性能,因此需要限制元素的互擴散。Re具有導電性好以及與Mo相容性好等優點,有利于Mo膜的沉積;此外因其熔點高、原子半徑大等特點,又可以延緩高溫時合金基體與MoSi2涂層的互擴散。因此,在Nb-Si基超高溫合金表面預沉積一層Re膜不僅可以促進Mo膜的沉積,而且可以作為阻擴散層延緩界面處元素的互擴散,提高MoSi2涂層的使用壽命。目前運用電鍍法制備Re膜和Mo膜的技術已趨成熟,但在Nb-Si基超高溫合金表面制備Mo-Re復合膜以及隨后制備MoSi2涂層尚屬空白,因此運用電鍍法制備Mo-Re復合膜對于制備MoSi2涂層以及加快Nb-Si基超高溫合金在航空航天等工業領域的應用具有重要意義。
發明內容
要解決的技術問題
為了避免現有技術的不足之處,本發明提出一種Nb-Si基超高溫合金基體表面金屬Mo-Re復合膜及電鍍方法,能夠獲得結合強度高,均勻致密的金屬Mo-Re復合膜層,具有工藝簡單、操作方便、成本低廉、成品率高、效率高等優點,適于推廣和應用。
技術方案
一種Nb-Si基超高溫合金基體表面金屬Mo-Re復合膜,其特征在于:復合膜為雙層結構,由外至內依次為Mo外層和Re粘接層。
所述Mo外層和Re粘接層的復合膜厚度為13~17μm,其中Re膜厚4~5μm,Mo膜厚9~13μm。
一種權利要求1所述Nb-Si基超高溫合金基體表面金屬Mo-Re復合膜的電鍍方法,其特征在于步驟如下:
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