[發明專利]諧振器制作方法

有效

• 申請號: 201811577385.2
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN111355460B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 李亮;呂鑫;梁東升;劉青林;馬杰;高淵
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 秦敏華

本發明涉及半導體技術領域，公開了一種諧振器的制作方法。該諧振器的制作方法包括：對襯底進行預處理，改變襯底預設區域部分的預設反應速率，使得預設區域部分對應的預設反應速率大于非預設區域部分對應的預設反應速率；對所述襯底進行所述預設反應，生成犧牲材料部分；所述犧牲材料部分包括位于所述襯底上表面之上的上半部分和位于所述襯底下表面之下的下半部分；在所述犧牲材料層上形成多層結構；所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；去除所述犧牲材料部分。上述諧振器制作方法相對于傳統的制作方法對諧振器工作區域的表面粗糙度更為容易控制。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及諧振器制作方法。

背景技術

諧振器可以用于各種電子應用中實施信號處理功能，例如，一些蜂窩式電話及其它通信裝置使用諧振器來實施用于所發射和/或所接收信號的濾波器?？筛鶕煌瑧枚褂脭捣N不同類型的諧振器，例如薄膜體聲諧振器(FBAR)、耦合式諧振器濾波器(SBAR)、堆疊式體聲諧振器(SBAR)、雙重體聲諧振器(DBAR)及固態安裝式諧振器(SMR)。

典型的聲諧振器包括上電極、下電極、位于上下電極之間的壓電材料、位于下電極下面的聲反射結構以及位于聲反射結構下面的襯底。通常將上電極、壓電層、下電極三層材料在厚度方向上重疊的區域定義為諧振器的有效區域。當在電極之間施加一定頻率的電壓信號時，由于壓電材料所具有的逆壓電效應，有效區域內的上下電極之間會產生垂直方向傳播的聲波，聲波在上電極與空氣的交界面和下電極下的聲反射結構之間來回反射并在一定頻率下產生諧振。

傳統的諧振器制作方法，對于諧振器工作區域的表面粗糙度不容易控制。

發明內容

基于上述問題，本發明提供一種諧振器工作區域的表面粗糙度較為容易控制的諧振器的制作方法。

本發明實施例的第一方面提供一種諧振器制作方法，包括：

對襯底進行預處理，改變襯底預設區域部分的預設反應速率，使得預設區域部分對應的預設反應速率大于非預設區域部分對應的預設反應速率；

對所述襯底進行所述預設反應，生成犧牲材料部分；所述犧牲材料部分包括位于所述襯底上表面之上的上半部分和位于所述襯底下表面之下的下半部分；

在所述犧牲材料層上形成多層結構；所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；

去除所述犧牲材料部分。

可選的，所述下半部分由底面和第一側面圍成；所述底面整體與所述襯底表面平行，所述第一側面為由所述底壁邊緣延伸至所述襯底上表面的第一圓滑曲面。

可選的，所述第一圓滑曲面包括圓滑過渡連接的第一曲面和第二曲面。

可選的，所述第一曲面的豎截面呈倒拋物線狀，且位于所述底面所在的平面之上；

所述第二曲面的豎截面呈拋物線狀，且位于所述襯底上表面所在的平面之下。

可選的，所述第一圓滑曲面的曲率小于第一預設值。

可選的，所述上半部分由所述多層結構的下側面圍成，所述多層結構與所述上半部分對應的部分包括頂面和第二側面，所述第二側面為由所述頂面邊緣延伸至所述襯底上表面的第二圓滑曲面。

可選的，所述第二圓滑曲面包括圓滑過渡連接的第三曲面和第四曲面；

所述第三曲面的豎截面呈拋物線狀，且位于所述頂面所在的平面之下；

所述第四曲面的豎截面呈倒拋物線狀，且位于所述襯底上表面所在的平面之上。

可選的，所述第二圓滑曲面的曲率小于第二預設值。

可選的，所述對所述襯底進行所述預設反應，生成犧牲材料部分，包括：