[發明專利]諧振器制作方法

有效

• 申請號: 201811577385.2
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN111355460B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 李亮;呂鑫;梁東升;劉青林;馬杰;高淵
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 秦敏華

1.一種諧振器制作方法，其特征在于，包括：

對襯底進行預處理，改變襯底預設區域部分的預設反應速率，使得預設區域部分對應的預設反應速率大于非預設區域部分對應的預設反應速率；

對所述襯底進行所述預設反應，生成犧牲材料部分；所述犧牲材料部分包括位于所述襯底上表面之上的上半部分和位于所述襯底下表面之下的下半部分；

在所述犧牲材料層上形成多層結構；所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；

去除所述犧牲材料部分。

2.根據權利要求1所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述下半部分由底面和第一側面圍成；所述底面整體與所述襯底表面平行，所述第一側面為由所述底面邊緣延伸至所述襯底上表面的第一圓滑曲面。

3.根據權利要求2所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第一圓滑曲面包括圓滑過渡連接的第一曲面和第二曲面。

4.根據權利要求3所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第一曲面的豎截面呈倒拋物線狀，且位于所述底面所在的平面之上；

所述第二曲面的豎截面呈拋物線狀，且位于所述襯底上表面所在的平面之下。

5.根據權利要求2所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第一圓滑曲面的曲率小于第一預設值。

6.根據權利要求1所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述上半部分由所述多層結構的下側面圍成，所述多層結構與所述上半部分對應的部分包括頂面和第二側面，所述第二側面為由所述頂面邊緣延伸至所述襯底上表面的第二圓滑曲面。

7.根據權利要求6所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第二圓滑曲面包括圓滑過渡連接的第三曲面和第四曲面。

8.根據權利要求7所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第三曲面的豎截面呈拋物線狀，且位于所述頂面所在的平面之下；

所述第四曲面的豎截面呈倒拋物線狀，且位于所述襯底上表面所在的平面之上。

9.根據權利要求6所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第二圓滑曲面的曲率小于第二預設值。

10.根據權利要求1至9任一項所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述對所述襯底進行所述預設反應，生成犧牲材料部分，包括：

將所述襯底置于氧化氣氛中進行氧化處理，得到犧牲材料部分。

11.一種諧振器制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成屏蔽層，所述屏蔽層覆蓋所述襯底上除預設區域之外的區域；

對形成屏蔽層的襯底進行預處理，控制襯底上與所述預設區域對應的部分發生預設反應，得到犧牲材料部分；所述犧牲材料部分包括位于所述襯底上表面之上的上半部分和位于所述襯底下表面之下的下半部分；

去除預處理后的襯底屏蔽層；

在去除屏蔽層后的襯底上形成多層結構，所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；

移除所述犧牲材料部分。

12.根據權利要求11所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述下半部分由底面和第一側面圍成；所述底面整體與所述襯底表面平行，所述第一側面為由所述底面邊緣延伸至所述襯底上表面的第一圓滑曲面。

13.根據權利要求12所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第一圓滑曲面包括圓滑過渡連接的第一曲面和第二曲面。

14.根據權利要求13所述的諧振器制作方法，其特征在于，所述第一曲面的豎截面呈倒拋物線狀，且位于所述底面所在的平面之上；

所述第二曲面的豎截面呈拋物線狀，且位于所述襯底上表面所在的平面之下。