[發明專利]引線框架及其生產工藝

在審

• 申請號: 201811575478.1
• 申請日: 2018-12-22
• 公開（公告）號: CN109742222A
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 周武;吳輝旺
• 申請（專利權）人: 昆山弗萊吉電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.引線框架，其特征在于：

包括支架基體，所述支架基體包括兩側橫向邊緣帶、及位于兩側橫向邊緣帶之間橫縱向列陣排布的若干LED單體架，

相鄰所述LED單體架之間設有縱向設置的縱向連接帶、橫向設置的橫向連接帶，并且任意相鄰LED單體架之間設有位于所述縱向連接帶上的矩形空區，所述縱向連接帶與所述橫向連接帶的交叉部設有定位通孔，

任意所述橫向邊緣帶上設有切割定位孔。

2.根據權利要求1所述的引線框架，其特征在于：

所述LED單體架包括H型隔離槽，所述H型隔離槽的中縫兩側分別設有基位，任意所述基位上設有成對的固定孔，成對的固定孔之間設有用于流膠的淺槽。

3.基于權利要求1~2所述引線框架的生產工藝，其特征在于包括如下步驟：

S1選材步驟，

獲取銅合金板，銅合金板的厚度為0.2mm±0.006mm；

S2裁剪步驟，

裁剪為片料；

S3表面處理步驟，

表面除塵；

S4壓模步驟，

在經過表面除塵的銅合金板表面覆蓋一層影像轉移膜；

S5高壓處理步驟，

通過高壓倉進行影像轉移膜的緊密貼合；

S6光處理步驟，

使用底片進行影像轉移；

S7顯影步驟，

將未光照區域干膜清洗干凈；

S8蝕刻步驟，

在6N的HCl溶液中進行蝕刻，蝕刻溫度控制在45~55℃；

S9烘干步驟，

表面清洗后進行烘干。

4.根據權利要求3所述引線框架的生產工藝，其特征在于：

所述步驟S8中，保持Cu²⁺濃度不低于2mol/L。