[發明專利]具有環繞填充線的接合墊

有效

• 申請號: 201811570669.9
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN110071082B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 史考特·波德爾;T·拉曼;K·楊-費希爾;D·斯通
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體結構，其包含：

第一介電層，具有頂端表面；

接合墊，位在該第一介電層的該頂端表面上；

多條填充線，設置在該第一介電層的該頂端表面上相鄰于該接合墊；

鈍化層，位在該接合墊及所述填充線上方，該鈍化層包括頂端表面及開口，該開口具有自該頂端表面垂直延展至該接合墊的側壁；以及

一或多個凸塊下冶金層，位在該接合墊上、該鈍化層中的該開口的該側壁上、及該鈍化層的該頂端表面上，

其中，該接合墊具有通過填充排除區與所述填充線分開的周界，及

其中，該填充線與該一或多個凸塊下冶金層之間有重迭。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該一或多個凸塊下冶金層具有周界，并且該接合墊的該周界水平設置在該一或多個凸塊下冶金層的該周界內側。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該填充排除區是水平設置在該一或多個凸塊下冶金層的該周界與該接合墊的該周界之間。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中，所述填充線是通過間隙分開，并且還包含：

一或多個第二介電層，設置在所述間隙中，

其中，該一或多個第二介電層填充所述間隙，以在所述填充線上方提供平坦化表面。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該接合墊具有設置成八角形狀的多個側邊，并且所述填充線具有與該接合墊的所述側邊的至少一者平行對準的側邊。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中，所述填充線及該接合墊相對于該第一介電層的該頂端表面具有相等高度，所述填充線具有間隔，并且所述填充線具有比該間隔更大的寬度。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中，所述填充線是組列在第一區塊及第二區塊中，并且位在該第一區塊中的所述填充線相對于位在該第二區塊中的所述填充線偏斜一角度。

8.一種半導體結構，其包含：

第一介電層，具有頂端表面；

接合墊，位在該第一介電層的該頂端表面上；

鈍化層，位在該接合墊上方，該鈍化層包括頂端表面及開口，該開口具有自該頂端表面延展至該接合墊的側壁；以及

一或多個凸塊下冶金層，位在該接合墊、該鈍化層中該開口的該側壁、及該鈍化層的該頂端表面上，

其中，該接合墊具有通過填充排除區與填充線分開的周界，

其中，該填充線與該一或多個凸塊下冶金層具有重迭,及

其中，該一或多個凸塊下冶金層具有水平設置在該接合墊的該周界外側的周界。

9.如權利要求8所述的半導體結構，還包含：

傳導柱，設置在該一或多個凸塊下冶金層上。

10.如權利要求8所述的半導體結構，其中，該接合墊的該周界包括設置成八角形狀的多個側邊。

11.如權利要求8所述的半導體結構，其中，該接合墊呈八角形，具有第一側緣及與該第一側緣采對徑方式隔開的第二側緣，并且該第一側緣與該第二側緣分開小于或等于46微米。

12.一種制作半導體結構的方法，該方法包含：

形成位在第一介電層的頂端表面上的接合墊；

形成位在該第一介電層的該頂端表面上相鄰于該接合墊設置的多條填充線；

形成位在該接合墊及所述填充線上方的鈍化層，該鈍化層包括頂端表面及開口，該開口具有自該頂端表面延展至該接合墊的側壁；以及

形成位在該接合墊上、該鈍化層中的該開口的該側壁上、及該鈍化層的該頂端表面上的一或多個凸塊下冶金層，

其中，該接合墊具有通過填充排除區與所述填充線分開的周界,及

其中，該填充線與該一或多個凸塊下冶金層之間有重迭。