[發(fā)明專利]濺射靶部件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811569762.8
• 申請(qǐng)日: 2018-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN110317053B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 水藤耕介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: JX金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B35/457
• 分類號(hào): C04B35/457;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/34;C23C14/35
• 代理公司: 北京偉思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11725
• 代理人: 聶寧樂;胡瑾

1.一種濺射靶部件，其特征在于，所述濺射靶部件，是將含有Ga、Sn的氧化物粉末以1500℃以上的加熱溫度燒結(jié)10小時(shí)以上得到含有Ga－Sn－O復(fù)合氧化物相的燒結(jié)體，并且，在含氮?dú)夥障?，?000℃～1400℃的加熱溫度進(jìn)行10小時(shí)以上的退火，分解Ga－Sn－O復(fù)合氧化物相并生成SnO₂相，從而得到的，

所述濺射靶部件含有Ga、Sn以及O，余量由不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，Ga以及Sn的原子比滿足0.33≤Ga／（Ga＋Sn）≤0.75，粉末X射線衍射測(cè)量中的SnO₂相的峰面積I_Sn與整體峰面積I之比（I_Sn／I）為0.02以上，體積電阻率為56,400Ω?cm以下。

2.如權(quán)利要求1所述的濺射靶部件，其中，粉末X射線衍射測(cè)量中的SnO₂相的峰面積I_Sn與整體峰面積I之比I_Sn／I為0.1以上。

3.如權(quán)利要求1或2所述的濺射靶部件，其中，粉末X射線衍射測(cè)量中的Ga₄SnO₈相的峰面積I_GaSn與整體峰面積I之比I_GaSn／I為0.3以下。

4.權(quán)利要求1或2所述的濺射靶部件，其中，粉末X射線衍射測(cè)量中的Ga₄SnO₈相的峰面積I_GaSn與整體峰面積I之比I_GaSn／I為0.25以下。

5.如權(quán)利要求1或2所述的濺射靶部件，其中，體積電阻率為50,000Ω?cm以下。

6.如權(quán)利要求1或2所述的濺射靶部件，其中，相對(duì)密度為94%以上。

7.一種如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的濺射靶部件的制造方法，包括：

步驟1，以混合粉中的Ga₂O₃粉為20mol%以上60mol%以下的摩爾濃度的方式，混合并粉碎Ga₂O₃粉以及SnO₂粉，準(zhǔn)備混合粉；

步驟2，將該混合粉，在含氧氣氛下，以1500℃以上的加熱溫度燒結(jié)10小時(shí)以上得到含有Ga－Sn－O復(fù)合氧化物相的燒結(jié)體；

步驟3，將該燒結(jié)體，在含氮?dú)夥障拢?000℃～1400℃的加熱溫度進(jìn)行10小時(shí)以上的退火，分解Ga－Sn－O復(fù)合氧化物相，生成SnO₂相。

8.如權(quán)利要求7所述的濺射靶部件的制造方法，其中，通過從步驟2的加熱溫度降低到步驟3的加熱溫度，連續(xù)地進(jìn)行步驟2和步驟3。

9.如權(quán)利要求7或8所述的濺射靶部件的制造方法，其中，在步驟3中以1200℃～1400℃的加熱溫度進(jìn)行退火。

10.一種成膜方法，包括對(duì)如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的濺射靶部件進(jìn)行濺射。