[發明專利]半導體器件的建模及設計的方法、存儲介質及計算機設備

在審

• 申請號: 201811569187.1
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN109800464A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 莫海鋒;宋賀倫;茹占強;張耀輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本發明公開了一種半導體器件的建模方法，具體包括：將獲取的構造半導體器件的模擬器件結構所需的參數生成半導體器件的模擬器件結構；對模擬器件結構進行仿真，根據仿真結果生成模擬器件結構的待驗證模型并進行性能驗證；若性能驗證結果符合預設目標，則輸出待驗證模型作為半導體器件的模型，否則，則調整參數，并重復上述步驟。本發明還公開了一種半導體器件的制造方法，將模型對應的參數作為半導體器件設計的參考。本發明還公開了一種存儲介質。本發明也公開了一種計算機設備。本發明可實現了從半導體器件的參數到半導體器件性能的快速仿真，降低了半導體器件建模的成本，同時輔助半導體器件制造，降低半導體器件制造的迭代周期和加工測試成本。

技術領域

本發明屬于半導體器件技術領域，具體地涉及一種半導體器件模型的創建方法、存儲介質及計算機設備。

背景技術

隨著半導體器件的需求和應用領域的不斷擴大，人們對半導體器件的模型的精確度的要求越來越高。在現有技術中，創建半導體器件的模型的方法一般包括：根據設計目標采取物理或者數學模型建立不同大小和不同工藝參數的半導體器件的模型，并通過模型制造半導體器件的實物，通過對半導體器件的實物進行全面的性能測試，再根據測試結果調整模型的參數，再重復上述的過程(即不斷地通過制造實物、對實物進行性能測試以驗證所設計的半導體器件的性能)，直到實物的性能測試結果符合預期的設計目標，則此時的模型為待創建的半導體器件的模型。這種傳統的建模方法，一方面需要反復制備實物作為樣本進行測試，耗費大量的時間成本和材料成本。另一方面模型只能作為電路和系統仿真應用，無法對器件的設計提供幫助。

因此，提供一種可以節省半導體器件的模型的創建時間、降低成本的半導體器件的模型的創建方法是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

為解決上述現有技術存在的問題，本發明提供了一種可以節省半導體器件的模型的創建時間、降低成本的半導體器件的建模及設計的方法、存儲介質及計算機設備。

為了達到上述發明目的，本發明采用了如下的技術方案：

根據本發明的一方面，提供了一種半導體器件的模型的創建方法，所述方法包括：

S100、獲取構造半導體器件的模擬器件結構所需的參數；

S200、根據所述參數生成半導體器件的模擬器件結構；

S300、對所述模擬器件結構進行仿真，根據仿真結果生成模擬器件結構的待驗證模型；

S400、將所述待驗證模型加入測試電路進行性能驗證；

S500、若性能驗證結果符合預設目標，則輸出所述待驗證模型作為半導體器件的模型。

進一步地，若性能驗證結果不符合預設目標，則根據所述性能驗證結果調整所述參數，并返回步驟S200。

進一步地，步驟S300具體包括：

對所述模擬器件結構進行直流仿真以獲得直流仿真結果；

對所述模擬器件結構進行交流仿真以獲得交流仿真結果；

根據所述直流仿真結果和所述交流仿真結果生成模擬器件結構的待驗證模型。

進一步地，所述待驗證模型包括小信號模型和大信號模型，所述根據所述直流仿真結果和所述交流仿真結果生成模擬器件結構的待驗證模型的方法包括：

根據所述交流仿真結果生成小信號模型；

根據所述直流仿真結果和所述交流仿真結果生成大信號模型。

進一步地，所述根據所述交流仿真結果形成小信號模型的方法包括：

根據所述交流仿真結果獲得S參數；

根據所述S參數生成小信號模型。