[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的建模及設(shè)計(jì)的方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算機(jī)設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811569187.1 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN109800464A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莫海鋒;宋賀倫;茹占強(qiáng);張耀輝 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 模擬器件 建模 計(jì)算機(jī)設(shè)備 存儲(chǔ)介質(zhì) 性能驗(yàn)證 驗(yàn)證 半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體器件性能 半導(dǎo)體器件制造 構(gòu)造半導(dǎo)體器件 輔助半導(dǎo)體 參數(shù)生成 調(diào)整參數(shù) 迭代周期 仿真結(jié)果 加工測試 快速仿真 器件制造 預(yù)設(shè)目標(biāo) 參考 輸出 重復(fù) 制造 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的建模方法,其特征在于,所述方法包括:
S100、獲取構(gòu)造半導(dǎo)體器件的模擬器件結(jié)構(gòu)所需的參數(shù);
S200、根據(jù)所述參數(shù)生成半導(dǎo)體器件的模擬器件結(jié)構(gòu);
S300、對所述模擬器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真,根據(jù)仿真結(jié)果生成模擬器件結(jié)構(gòu)的待驗(yàn)證模型;
S400、將所述待驗(yàn)證模型加入測試電路進(jìn)行性能驗(yàn)證;
S500、若性能驗(yàn)證結(jié)果符合預(yù)設(shè)目標(biāo),則輸出所述待驗(yàn)證模型作為半導(dǎo)體器件的模型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的建模方法,其特征在于,若性能驗(yàn)證結(jié)果不符合預(yù)設(shè)目標(biāo),則根據(jù)所述性能驗(yàn)證結(jié)果調(diào)整所述參數(shù),并返回步驟S200。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的建模方法,其特征在于,步驟S300具體包括:
對所述模擬器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行直流仿真以獲得直流仿真結(jié)果;
對所述模擬器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行交流仿真以獲得交流仿真結(jié)果;
根據(jù)所述直流仿真結(jié)果和所述交流仿真結(jié)果生成模擬器件結(jié)構(gòu)的待驗(yàn)證模型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的建模方法,其特征在于,所述待驗(yàn)證模型包括小信號模型和大信號模型,所述根據(jù)所述直流仿真結(jié)果和所述交流仿真結(jié)果生成模擬器件結(jié)構(gòu)的待驗(yàn)證模型的方法包括:
根據(jù)所述交流仿真結(jié)果生成小信號模型;
根據(jù)所述直流仿真結(jié)果和所述交流仿真結(jié)果生成大信號模型。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的建模方法,其特征在于,所述根據(jù)所述交流仿真結(jié)果形成小信號模型的方法包括:
根據(jù)所述交流仿真結(jié)果獲得S參數(shù);
根據(jù)所述S參數(shù)生成小信號模型。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的建模方法,其特征在于,所述根據(jù)所述直流仿真結(jié)果和所述交流仿真結(jié)果形成大信號模型的方法包括:
根據(jù)所述直流仿真結(jié)果生成電流源模型;
根據(jù)所述交流仿真結(jié)果生成電荷源模型;
連接所述電流源模型和所述電荷源模型形成大信號模型。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的建模方法,其特征在于,所述根據(jù)所述交流仿真結(jié)果生成電荷源模型的方法包括:
采用阻抗的去嵌方法將所述交流仿真結(jié)果區(qū)分為內(nèi)部參數(shù)和外部參數(shù);
根據(jù)所述內(nèi)部參數(shù)生成內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)電荷源模型;
根據(jù)所述外部參數(shù)生成外部網(wǎng)絡(luò)的外部模型;
連接所述內(nèi)電荷源模型和所述外部模型形成電荷源模型。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的建模方法,其特征在于,所述參數(shù)包括工藝參數(shù)和待模擬的器件尺寸參數(shù);和/或,
所述工藝參數(shù)包括制備半導(dǎo)體器件所需的雜質(zhì)材料的導(dǎo)電類型、注入雜質(zhì)材料的能量、注入雜質(zhì)材料的濃度。
9.一種半導(dǎo)體器件的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
采用權(quán)利要求1至8所述的建模方法創(chuàng)建半導(dǎo)體器件的模型;
根據(jù)所述模型對應(yīng)的參數(shù)制造半導(dǎo)體器件。
10.一種存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,所述存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有半導(dǎo)體器件的模型的創(chuàng)建程序,所述半導(dǎo)體器件的模型的創(chuàng)建程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的建模方法的步驟。
11.一種計(jì)算機(jī)設(shè)備,所述計(jì)算機(jī)設(shè)備包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器上并可在處理器上運(yùn)行的半導(dǎo)體器件的模型的創(chuàng)建程序,其特征在于,所述半導(dǎo)體器件的模型的創(chuàng)建程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的建模方法的步驟。
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