[發明專利]半導體發光裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201811568616.3
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN110010753A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 池田賢司
• 申請（專利權）人: 斯坦雷電氣株式會社
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62;H01L33/52
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 朱麗娟;黃綸偉

提供半導體發光裝置及其制造方法。一種半導體發光裝置，抑制裝置工作時熱膨脹對發光元件的影響，并且能夠改善發光特性。半導體發光裝置具有：金屬芯，其隔著樹脂層嵌合到形成于基板的通孔中，且貫穿基板；熱傳導膜，其形成在金屬芯的上表面的區域內，且具有平坦面；以及半導體發光元件，其隔著粘接層與熱傳導膜的平坦面接合。熱傳導膜的外緣與所述金屬芯的上表面的外緣分離。

技術領域

本發明涉及一種具有半導體發光元件的半導體發光裝置及其制造方法。

背景技術

近年來，半導體發光元件的紅外線發光二極管(LED)的用途正在擴大。紅外線LED多與紅外線照相機組合使用，該紅外線照相機照射紅外線且由帶有紅外濾波器的CMOS照相機獲得圖像。紅外線照相機也被用于對停車進行輔助的后置攝像頭系統中。通過使用紅外線，從而不被周圍的亮度所左右，無論是在白天還是在夜晚都能夠得到清楚的圖像。因此，最近，紅外LED要求高功率。

另一方面，在安裝功率模塊、LSI、無源元件等電子部件的金屬基底覆銅層壓板的領域中，公知的是使所搭載的電路元件產生的熱量的散熱性增大的技術(例如，專利文獻1)。

現在技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平8-236886號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，在公開了使電路元件所產生的熱量的散熱性增大的金屬基底覆銅層壓板的專利文獻1中，雖然著眼于提高電路元件的安裝密度，但不存在與各電路元件的安裝時的位置偏移相關的記載、以及與工作時熱膨脹對電路元件的影響相關的記載。

本發明的目的在于提供一種半導體發光裝置及其制造方法，抑制裝置工作時熱膨脹對發光元件的影響，并且能夠改善發光特性。

用于解決問題的手段

為了達到上述目的，本發明的一個方面的半導體發光裝置的特征在于，所述半導體發光裝置具有：基板；金屬芯，其隔著樹脂層嵌合到形成于所述基板的通孔中，且貫穿所述基板；熱傳導膜，其形成在所述金屬芯的上表面的區域內，且具有平坦面；以及半導體發光元件，其隔著粘接層與所述熱傳導膜的所述平坦面接合，所述熱傳導膜的外緣與所述金屬芯的所述上表面的外緣分離。

本發明的另一個方面的半導體發光裝置的制造方法的特征在于，所述制造方法包括如下工序：第1工序，在基板上形成通孔；第2工序，使金屬芯隔著樹脂層嵌合到所述通孔中并固定；第3工序，形成熱傳導膜，所述熱傳導膜形成在所述金屬芯的上表面的區域內，且具有平坦面；以及第4工序，使半導體發光元件與所述熱傳導膜的所述平坦面接合。

附圖說明

圖1是本發明的實施例的半導體發光裝置的示意性俯視圖。

圖2是沿圖1的XX線切斷的情況下的半導體發光裝置的示意性截面圖。

圖3是本發明的實施例的半導體發光裝置的基板的截面圖。

圖4是本發明的實施例的半導體發光裝置的金屬芯的截面圖。

圖5是用于說明本發明的實施例的半導體發光裝置的制造方法的工序的示意性截面圖。

圖6是本發明的實施例的變形例的半導體發光裝置的示意性截面圖。

圖7是本發明的實施例的變形例的半導體發光裝置的示意性截面圖。

圖8是本發明的實施例的變形例的半導體發光裝置的示意性截面圖。

圖9是本發明的實施例的變形例的半導體發光裝置的示意性截面圖。