[發明專利]一種顯示面板的制程方法和顯示面板有效
| 申請號: | 201811568113.6 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN109755259B | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發明(設計)人: | 葛邦同 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/02 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 方法 | ||
本發明公開了一種顯示面板的制程方法和顯示面板,制程方法包括第一基板的制程方法,第一基板的制程方法包括步驟:在基板沉積底層材料;對底層材料的上表面,采用準分子紫外光照射操作,并進行水洗操作,完成底層結構的表面的潔凈工作;在底層材料上方沉積第二層金屬;通過光罩制程蝕刻第二層金屬以形成第二金屬層;在第二金屬層的上方形成鈍化層和透明導電層;在鍍第二層金屬之前進行準分子紫外光照射和水洗的制程,可以有效減少底層結構表面的有機物和氧化物的殘留,減少第二層金屬的數據線短路或斷路的現象,從而提升4mask工藝的良率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板的制程方法和顯示面板。
背景技術
隨著科技的發展和進步,平板顯示器由于具備機身薄、省電和輻射低等特點而成為顯示器的主流產品。平板顯示器包括薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)和有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器等。其中,薄膜晶體管液晶顯示器通過控制液晶分子的旋轉方向,以將背光模組的光線折射出來產生畫面,具有機身薄、省電和無輻射等眾多優點。而有機發光二極管顯示器是利用有機電致發光二極管制成,具有自發光、響應時間短、清晰度與對比度高、可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點。
在顯示面板的制作過程中,一般的薄膜晶體管(Thin Film Tran-sistor,TFT)基板結構,包括通過一金屬層同層形成的源極和漏極,將金屬層下方的結構作為底層結構或底層材料,若底層結構或底層材料形成之后,不立即形成金屬層,則底層結構或底層材料的上方可能出現一些影響源極和漏極的電路性能的雜質,這些雜質影響陣列基板的性能,因而,如何去除這些雜質成為本領域技術人員系帶解決的技術。
發明內容
本發明提供一種去除底層結構或底層材料上方影響源極和漏極的電路性能的雜質的顯示面板的制程方法和顯示面板。
為實現上述目的,本發明提供了一種顯示面板的制程方法,所述制程方法包括第一基板的制程方法,所述第一基板的制程方法包括步驟:
在基板沉積底層材料;
對底層材料的上表面,采用準分子紫外光(Extreme Ultraviolet Lithography,EUV)照射操作,并進行水洗操作,完成底層結構的表面的潔凈工作;
在底層材料上方沉積第二層金屬;
通過光罩制程蝕刻第二層金屬以形成第二金屬層;
在第二金屬層的上方形成鈍化層和透明導電層。
可選的,所述對底層材料的上表面,采用準分子紫外光照射操作,并進行水洗操作,完成底層結構的表面的潔凈工作的步驟包括:
使用準分子紫外光照射操作對底層材料上表面進行潔凈工作;
對完成準分子紫外光照射操作的底層材料上表面進行水洗操作。
可選的,本方案還可以在使用準分子紫外光照射操作對底層材料上表面進行潔凈工作的同時,進行對底層材料上表面進行水洗操作。
可選的,所述準分子紫外光照射操作和水洗操作之后還包括步驟:
對完成準分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底層結構的上表面使用風刀吹干操作。
可選的,所述底層材料用于形成有源層,所述第二金屬層包括同層形成的源極和漏極;
所述在基板沉積底層材料的步驟包括:
在基板上依次形成柵極和柵極絕緣層;
在柵極絕緣層的上方沉積有源層材料作為底層材料;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





