[發(fā)明專利]一種顯示面板的制程方法和顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811568113.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109755259B | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛邦同 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/02 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 方法 | ||
1.一種顯示面板的制程方法,其特征在于,所述制程方法包括第一基板的制程方法,所述第一基板的制程方法包括步驟:
在基板沉積底層材料;
使用準(zhǔn)分子紫外光照射操作對(duì)底層材料上表面進(jìn)行潔凈工作;
對(duì)完成準(zhǔn)分子紫外光照射操作的底層材料上表面進(jìn)行水洗操作;
對(duì)完成準(zhǔn)分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底層結(jié)構(gòu)的上表面使用風(fēng)刀吹干操作;
在底層材料上方沉積第二層金屬;
通過光罩制程蝕刻第二層金屬以形成第二金屬層;
在第二金屬層的上方形成鈍化層和透明導(dǎo)電層;
所述底層材料用于形成有源層,所述有源層為非晶硅層,所述第二金屬層蝕刻形成源極和漏極;所述準(zhǔn)分子紫外光的波長為274納米;
所述在基板沉積底層材料的步驟包括:
在基板上依次形成柵極和柵極絕緣層;
在柵極絕緣層的上方沉積有源層材料作為底層材料;
所述通過光罩制程蝕刻第二層金屬以形成第二金屬層的步驟包括:
通過同一道光罩制程,先蝕刻第二層金屬形成包括源極和漏極的第二金屬層;再蝕刻底層材料形成有源層。
2.一種顯示面板的制程方法,其特征在于,所述制程方法包括第一基板的制程方法,所述第一基板的制程方法包括步驟:
在基板上依次形成柵極和柵極絕緣層;
在柵極絕緣層的上方沉積有源層材料作為底層材料;
對(duì)底層材料的上表面,采用準(zhǔn)分子紫外光照射操作,并進(jìn)行水洗操作,完成底層結(jié)構(gòu)的表面的潔凈工作;
對(duì)完成準(zhǔn)分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底層結(jié)構(gòu)的上表面使用風(fēng)刀吹干操作;
在底層材料上方沉積第二層金屬;
通過同一道光罩制程,先蝕刻第二層金屬形成包括源極和漏極的第二金屬層;再蝕刻底層材料形成有源層;
在第二金屬層的上方形成鈍化層和透明導(dǎo)電層;
所述柵極絕緣層和有源層是通過化學(xué)氣相沉積,然后蝕刻形成的;
所述有源層為非晶硅層,準(zhǔn)分子紫外線波長為274納米。
3.一種顯示面板,其特征在于,包括采用如權(quán)利要求1至2任意一項(xiàng)所述的制程方法制造得到。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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