[發明專利]一種發光二極管芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201811567405.8
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN109786533A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 尹靈峰;魏柏林;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發明公開了一種發光二極管芯片及其制作方法，屬于半導體技術領域。芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、N型電極、P型電極和絕緣層；P型電極包括焊盤部分、主干手指和多個分支手指，P型電極的焊盤部分和多個分支手指均設置在P型半導體層上，絕緣層和主干手指依次層疊在所述凹槽內的N型半導體層上，主干手指的一端與所述P型電極的焊盤部分連接，主干手指的另一端向遠離P型電極的焊盤部分的方向延伸，各個分支手指的一端分別與主干手指連接，各個分支手指的另一端向遠離主干手指的方向延伸。本發明可以減小P型半導體層上設置的手指部分的面積，減少P型電極遮擋和吸收的光線，提升LED芯片的發光亮度。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片及其制作方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種能發光的半導體電子元件。芯片是LED的核心組件。

現有的LED芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、P型電極和N型電極，N型半導體層、有源層和P型半導體層依次層疊在襯底上，P型半導體層上設有延伸至N型半導體層的凹槽，N型電極設置在凹槽內的N型半導體層上，P型電極設置在P型半導體層上。

N型電極和P型電極均包括焊盤部分和手指部分。焊盤部分實現電流的注入。手指部分的一端與焊盤部分連接，手指部分的另一端向遠離焊盤部分的方向延伸，以使電流均勻注入N型半導體層或者P型半導體層。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

P型電極的材料會遮擋和吸收有源層發出的光線，而P型電極的手指部分為了實現電流的均勻注入，會分布在整個P型半導體層上，遮擋和吸收的光線較多，對LED芯片的出光影響較大，導致LED芯片的發光亮度降低。

發明內容

本發明實施例提供了一種發光二極管芯片及其制作方法，能夠解決現有技術P型電極的手指部分遮擋和吸收的光線較多，導致LED芯片發光亮度降低的問題。所述技術方案如下：

一方面，本發明實施例提供了一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、N型電極、P型電極和絕緣層；所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的凹槽；所述N型電極設置在所述凹槽內的N型半導體層上，所述N型電極包括焊盤部分和手指部分，所述手指部分的一端與所述N型電極的焊盤部分連接，所述手指部分的另一端向遠離所述N型電極的焊盤部分的方向延伸；所述P型電極包括焊盤部分、主干手指和多個分支手指，所述P型電極的焊盤部分和所述多個分支手指均設置在所述P型半導體層上，所述絕緣層和所述主干手指依次層疊在所述凹槽內的N型半導體層上，所述主干手指的一端與所述P型電極的焊盤部分連接，所述主干手指的另一端向遠離所述P型電極的焊盤部分的方向延伸，各個所述分支手指的一端分別與所述主干手指連接，各個所述分支手指的另一端向遠離所述主干手指的方向延伸。

可選地，所述主干手指與所述手指部分平行。

優選地，所述主干手指和所述手指部分之間的距離為1μm～20μm。

更優選地，所述手指部分與所述發光二極管芯片的邊緣之間的距離為1μm～50μm。

可選地，所述多個分支手指間隔設置在所述主干手指的同一側。

優選地，所述多個分支手指相互平行。

進一步地，相鄰兩個所述分支手指之間的距離為定值。

優選地，所述定值為20μm～200μm。

可選地，每個所述分支手指與所述分支手指和所述P型電極的焊盤部分之間的主干手指之間的夾角為鈍角。