[發明專利]一種發光二極管芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201811567405.8
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN109786533A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 尹靈峰;魏柏林;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、N型電極、P型電極和絕緣層；所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的凹槽；所述N型電極設置在所述凹槽內的N型半導體層上，所述N型電極包括焊盤部分和手指部分，所述手指部分的一端與所述N型電極的焊盤部分連接，所述手指部分的另一端向遠離所述N型電極的焊盤部分的方向延伸；所述P型電極包括焊盤部分、主干手指和多個分支手指，所述P型電極的焊盤部分和所述多個分支手指均設置在所述P型半導體層上，所述絕緣層和所述主干手指依次層疊在所述凹槽內的N型半導體層上，所述主干手指的一端與所述P型電極的焊盤部分連接，所述主干手指的另一端向遠離所述P型電極的焊盤部分的方向延伸，各個所述分支手指的一端分別與所述主干手指連接，各個所述分支手指的另一端向遠離所述主干手指的方向延伸。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述主干手指與所述手指部分平行。

3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述主干手指和所述手指部分之間的距離為1μm～20μm。

4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述手指部分與所述發光二極管芯片的邊緣之間的距離為1μm～50μm。

5.根據權利要求1～4任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述多個分支手指間隔設置在所述主干手指的同一側。

6.根據權利要求5所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述多個分支手指相互平行。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，相鄰兩個所述分支手指之間的距離為定值。

8.根據權利要求7所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述定值為20μm～200μm。

9.根據權利要求1～4任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，每個所述分支手指與所述分支手指和所述P型電極的焊盤部分之間的主干手指之間的夾角為鈍角。

10.一種發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上依次生長N型半導體層、有源層和P型半導體層；

在所述P型半導體層上開設延伸至所述N型半導體層的凹槽；

在所述凹槽內的N型半導體層上形成絕緣層；

在所述凹槽內的N型半導體層上設置N型電極，在所述P型半導體層和所述絕緣層上設置P型電極；所述N型電極包括焊盤部分和手指部分，所述手指部分的一端與所述N型電極的焊盤部分連接，所述手指部分的另一端向遠離所述N型電極的焊盤部分的方向延伸；所述P型電極包括焊盤部分、主干手指和多個分支手指，所述P型電極的焊盤部分和所述多個分支手指均設置在所述P型半導體層上，所述主干手指設置在所述絕緣層上，所述主干手指的一端與所述P型電極的焊盤部分連接，所述主干手指的另一端向遠離所述P型電極的焊盤部分的方向延伸，各個所述分支手指的一端分別與所述主干手指連接，各個所述分支手指的另一端向遠離所述主干手指的方向延伸。