[發(fā)明專利]一種單IO擴(kuò)展系統(tǒng)及擴(kuò)展方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811567272.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109407593A | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張德星;章逸豐;毛義華;曹慧赟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué)濱海產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | G05B19/042 | 分類號(hào): | G05B19/042 |
| 代理公司: | 天津?yàn)I海科緯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211 | 代理人: | 楊慧玲 |
| 地址: | 300345 天津市濱海新*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 并行 芯片 二極管 電阻 接地 引腳 負(fù)極連接電容 正極 高低控制 供電管腳 擴(kuò)展電路 信號(hào)分離 一端連接 滯后效應(yīng) 線束 電路 供電 | ||
本發(fā)明提出一種單IO擴(kuò)展系統(tǒng),包括MCU、電阻R、電容C1、串行轉(zhuǎn)并行芯片;還包括二極管D1和電容C2;MCU的待擴(kuò)展IO連接到所述電阻R的一端,同時(shí)連接到串行轉(zhuǎn)并行芯片的CLK引腳,還連接到二極管D1的正極;電阻R的另一端連接電容C1的一端,同時(shí)連接到串行轉(zhuǎn)并行芯片的DATA引腳;所述電容C1的另一端接地;二極管D1的負(fù)極連接電容C2的一端,同時(shí)連接串行轉(zhuǎn)并行芯片的供電管腳;電容C2的另一端接地。本發(fā)明利用RC電路的滯后效應(yīng),僅需1個(gè)MCU IO口的高低控制,就能將信號(hào)分離實(shí)現(xiàn)串行轉(zhuǎn)并行芯片的數(shù)據(jù)輸入,同時(shí)實(shí)現(xiàn)IO口給擴(kuò)展電路供電,節(jié)省了IO口數(shù)以及電路的線束數(shù)量,從而降低成本,提高可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電子領(lǐng)域,特別是涉及到一種單IO擴(kuò)展系統(tǒng)及擴(kuò)展方法。
背景技術(shù)
在電子產(chǎn)品中經(jīng)常需要通過MCU的IO來控制各種電路,為了降低MCU與擴(kuò)展板連接的線纜成本,希望用最少的IO實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展目的。目前常用的擴(kuò)展方案為使用串行轉(zhuǎn)并行芯片來實(shí)現(xiàn),例如74hC164,74hC1595,這些芯片至少需要4根導(dǎo)線連接。是否能夠進(jìn)一步降低成本,是目前亟需解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種單IO擴(kuò)展系統(tǒng)及擴(kuò)展方法,僅需1個(gè)MCU IO口的高低控制,就能將信號(hào)分離實(shí)現(xiàn)串行轉(zhuǎn)并行芯片的數(shù)據(jù)輸入,節(jié)省了MCU的IO口數(shù)。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種單IO擴(kuò)展系統(tǒng),包括MCU、電阻R、電容C1、串行轉(zhuǎn)并行芯片;MCU的待擴(kuò)展IO連接到所述電阻R的一端,同時(shí)連接到串行轉(zhuǎn)并行芯片的CLK引腳;所述電阻R的另一端連接電容C1的一端,同時(shí)連接到串行轉(zhuǎn)并行芯片的DATA引腳;所述電容C1的另一端接地。
進(jìn)一步的,所述單IO擴(kuò)展系統(tǒng)還包括二極管D1和電容C2;所述MCU的待擴(kuò)展IO在連接所述電阻R的一端和串行轉(zhuǎn)并行芯片的CLK引腳的同時(shí),還連接到二極管D1的正極;所述二極管D1的負(fù)極連接電容C2的一端,同時(shí)連接串行轉(zhuǎn)并行芯片的供電管腳;所述電容C2的另一端接地。
更進(jìn)一步的,所述二極管D1的負(fù)極還連接所述串行轉(zhuǎn)并行芯片所連接的設(shè)備的供電管腳。
進(jìn)一步的,所述MCU、所述電容C1的另一端、所述串行轉(zhuǎn)并行芯片共地。
更進(jìn)一步的,所述MCU、所述電容C1的另一端、所述串行轉(zhuǎn)并行芯片、以及所述串行轉(zhuǎn)并行芯片所連接的設(shè)備共地。
本發(fā)明的另一方面,應(yīng)用上述單IO擴(kuò)展系統(tǒng)的單IO擴(kuò)展方法,包括:MCU通過控制一個(gè)IO的高低變化及高低變化的時(shí)間,利用電阻R和電容C1所組成的RC電路的滯后效應(yīng),實(shí)現(xiàn)發(fā)送數(shù)據(jù)0和數(shù)據(jù)1給串行轉(zhuǎn)并行芯片。
進(jìn)一步的,所述MCU發(fā)送數(shù)據(jù)0的方法為:MCU的IO輸出0,等待RC電路的輸出為0,即串行轉(zhuǎn)并行芯片的DATA引腳為0,然后IO輸出1產(chǎn)生上跳沿,串行轉(zhuǎn)并行芯片在CLK的上跳沿將DATA的數(shù)據(jù)狀態(tài)存入內(nèi)部,此刻因?yàn)镽C電路的滯后效應(yīng),串行轉(zhuǎn)并行芯片的DATA引腳還為0,即串行轉(zhuǎn)并行芯片就輸入了數(shù)據(jù)0。
進(jìn)一步的,所述MCU發(fā)送數(shù)據(jù)1的方法為:MCU的IO口輸出1,等待RC電路的輸出為1,即串行轉(zhuǎn)并行芯片的DATA引腳為1,然后IO輸出0又輸出1產(chǎn)生上跳沿,串行轉(zhuǎn)并行芯片在CLK的上跳沿將DATA的數(shù)據(jù)狀態(tài)存入內(nèi)部,此刻因?yàn)镽C電路的滯后效應(yīng),串行轉(zhuǎn)并行芯片的DATA引腳還為1,即串行轉(zhuǎn)并行芯片就輸入了數(shù)據(jù)1。
進(jìn)一步的,所述MCU的待擴(kuò)展IO在連接所述電阻R的一端和串行轉(zhuǎn)并行芯片的CLK引腳的同時(shí),還連接到二極管D1的正極;所述二極管D1的負(fù)極連接電容C2的一端,同時(shí)連接串行轉(zhuǎn)并行芯片的供電管腳;所述電容C2的另一端接地;IO口的高電平期間通過二極管D1給串行轉(zhuǎn)并行芯片供電,同時(shí)將電能儲(chǔ)存在電容C2上;在IO口的低電平期間,電容C2給串行轉(zhuǎn)并行芯片供電。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué)濱海產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院,未經(jīng)浙江大學(xué)濱海產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811567272.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 簡(jiǎn)單網(wǎng)絡(luò)管理協(xié)議設(shè)備的數(shù)據(jù)并行采集歸并方法及系統(tǒng)
- 減少EMI的并行數(shù)據(jù)傳輸方法
- 一種多媒體數(shù)據(jù)并行處理系統(tǒng)及方法
- 一種高速并行OQPSK解調(diào)時(shí)鐘的恢復(fù)系統(tǒng)
- 一種海量地震數(shù)據(jù)并行抽道集方法
- 3G協(xié)議的turbo碼并行譯碼方法及裝置
- 并行擴(kuò)展輸入輸出的教學(xué)裝置
- 數(shù)據(jù)的并行處理
- 并行式插件機(jī)
- 一種SPI總線與并行總線的橋接方法、設(shè)備、系統(tǒng)及介質(zhì)





