[發明專利]一種單IO擴展系統及擴展方法在審
| 申請號: | 201811567272.4 | 申請日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN109407593A | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發明(設計)人: | 張德星;章逸豐;毛義華;曹慧赟 | 申請(專利權)人: | 浙江大學濱海產業技術研究院 |
| 主分類號: | G05B19/042 | 分類號: | G05B19/042 |
| 代理公司: | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211 | 代理人: | 楊慧玲 |
| 地址: | 300345 天津市濱海新*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電容 并行 芯片 二極管 電阻 接地 引腳 負極連接電容 正極 高低控制 供電管腳 擴展電路 信號分離 一端連接 滯后效應 線束 電路 供電 | ||
1.一種單IO擴展系統,其特征在于,包括MCU、電阻R、電容C1、串行轉并行芯片;MCU的待擴展IO連接到所述電阻R的一端,同時連接到串行轉并行芯片的CLK引腳;所述電阻R的另一端連接電容C1的一端,同時連接到串行轉并行芯片的DATA引腳;所述電容C1的另一端接地。
2.根據權利要求1所述的一種單IO擴展系統,其特征在于,所述單IO擴展系統還包括二極管D1和電容C2;所述MCU的待擴展IO在連接所述電阻R的一端和串行轉并行芯片的CLK引腳的同時,還連接到二極管D1的正極;所述二極管D1的負極連接電容C2的一端,同時連接串行轉并行芯片的供電管腳;所述電容C2的另一端接地。
3.根據權利要求2所述的一種單IO擴展系統,其特征在于,所述二極管D1的負極還連接所述串行轉并行芯片所連接的設備的供電管腳。
4.根據權利要求1-3任一項所述的一種單IO擴展系統,其特征在于,所述MCU、所述電容C1的另一端、所述串行轉并行芯片共地。
5.根據權利要求4所述的一種單IO擴展系統,其特征在于,所述MCU、所述電容C1的另一端、所述串行轉并行芯片、以及所述串行轉并行芯片所連接的設備共地。
6.應用權利要求1所述單IO擴展系統的單IO擴展方法,其特征在于,包括:MCU通過控制一個IO的高低變化及高低變化的時間,利用電阻R和電容C1所組成的RC電路的滯后效應,實現發送數據0和數據1給串行轉并行芯片。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述MCU發送數據0的方法為:MCU的IO輸出0,等待RC電路的輸出為0,即串行轉并行芯片的DATA引腳為0,然后IO輸出1產生上跳沿,串行轉并行芯片在CLK的上跳沿將DATA的數據狀態存入內部,此刻因為RC電路的滯后效應,串行轉并行芯片的DATA引腳還為0,即串行轉并行芯片就輸入了數據0。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述MCU發送數據1的方法為:MCU的IO口輸出1,等待RC電路的輸出為1,即串行轉并行芯片的DATA引腳為1,然后IO輸出0又輸出1產生上跳沿,串行轉并行芯片在CLK的上跳沿將DATA的數據狀態存入內部,此刻因為RC電路的滯后效應,串行轉并行芯片的DATA引腳還為1,即串行轉并行芯片就輸入了數據1。
9.根據權利要求6-8任一項所述的方法,其特征在于,所述MCU的待擴展IO在連接所述電阻R的一端和串行轉并行芯片的CLK引腳的同時,還連接到二極管D1的正極;所述二極管D1的負極連接電容C2的一端,同時連接串行轉并行芯片的供電管腳;所述電容C2的另一端接地;IO口的高電平期間通過二極管D1給串行轉并行芯片供電,同時將電能儲存在電容C2上;在IO口的低電平期間,電容C2給串行轉并行芯片供電。
10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,所述二極管D1的負極還連接所述串行轉并行芯片所連接的設備的供電管腳,給該設備供電。
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