[發明專利]去膜機載片臺及硅片加工設備在審
| 申請號: | 201811560737.3 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109449108A | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 王強 | 申請(專利權)人: | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 許莉 |
| 地址: | 132013 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 升降機構 硅片 去膜 硅片加工設備 吸附機構 定位件 半導體材料加工設備 工作效率 滾軸 藍膜 去除 吸附 穿過 | ||
1.一種去膜機載片臺,其特征在于,包括吸附機構(1)、第一升降機構(2)、定位件(3)和第二升降機構(4),所述吸附機構(1)與所述第一升降機構(2)連接,并在所述第一升降機構(2)的帶動下吸附硅片,所述定位件(3)穿過所述第一升降機構(2)與所述第二升降機構(4)連接,并在所述第二升降機構(4)的帶動下對所述硅片進行定位。
2.根據權利要求1所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述吸附機構(1)上設有到位傳感器(5),所述到位傳感器(5)用于采集所述硅片的到位信息。
3.根據權利要求1所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述吸附機構(1)包括托盤(11)和真空泵,所述托盤(11)上具有多個與所述真空泵連通的氣孔(111),多個所述氣孔(111)用于吸附所述托盤(11)。
4.根據權利要求3所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述托盤(11)用于吸附所述硅片的頂面上具有凹槽(112),所述凹槽(112)與多個所述氣孔(111)連通。
5.根據權利要求3所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述托盤(11)的側壁具有用于容納至少部分所述定位件(3)的容納槽。
6.根據權利要求1所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述第一升降機構(2)包括第一升降氣缸(21)和底板(22),所述底板(22)一側通過多個支撐桿與所述第一升降氣缸(21)連接,另一側與所述吸附機構(1)連接。
7.根據權利要求6所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述定位件(3)包括穿過所述底板(22)的第一定位桿(31)和第二定位桿(32)。
8.根據權利要求1所述的去膜機載片臺,其特征在于,所述第二升降機構(4)包括第二升降氣缸(41)和底座(42),所述底座(42)分別與所述第二升降氣缸(41)和所述定位件(3)連接。
9.根據權利要求1所述的去膜機載片臺,其特征在于,還包括安裝板(6),所述第一升降機構(2)和所述第二升降機構(4)均設于所述安裝板(6)上。
10.一種硅片加工設備,其特征在于,包括如權利要求1-9任一項所述的去膜機載片臺。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





