[發明專利]一種應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案

在審

• 申請號: 201811553347.3
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN109714039A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 郭桂良
• 申請（專利權）人: 北京中科銀河芯科技有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案，包括PMOS管M1和PMOS管M2，反相器INV1和反相器INV2，以及一個熔絲FUSE，PMOS管M1和PMOS管M2的源極連接到電源VDD上，漏極連接到熔絲FUSE的一端，PMOS管M1的柵極接到上電復位信號上，熔絲FUSE的另外一端接到地，反相器INV1的輸入接到PMOS管M2和PMOS管M1的漏端，輸出接到PMOS管M2的柵端，反相器INV2的輸入端接到INV1的輸出端，INV2的輸出電壓為熔絲修調電路的輸出電壓，該應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案，相對傳統的熔絲修調電路具有超低功耗的特點，非常適合于超低功耗數模混合電路的應用。

技術領域

本發明屬于半導體集成電路技術領域，具體涉及一種應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案。

背景技術

數模混合集成電路中的高精度模擬電路由于受到工藝誤差的影響，電路性能會發生變化。為了保證高精度模擬電路性能的一致性，需要在電路中加入熔絲修調，針對每顆芯片進行電路參數修調。

但是傳統的熔絲修調電路如圖1所示，只是簡單的將電阻和熔絲串聯，在熔絲斷開時輸出高電平，在熔絲不斷開時輸出低電平。這樣方案的缺點是在熔絲未熔斷時會存在漏電流，雖然這個漏電流可能很小，但是對于超低功耗模擬數模混合電路來說難以接受。

發明內容

本發明的目的在于提供一種應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案，包括PMOS管M1和PMOS管M2，反相器INV1和反相器INV2，以及一個熔絲FUSE。

優選的，PMOS管M1和PMOS管M2的源極連接到電源VDD上，漏極連接到熔絲FUSE的一端，PMOS管M1的柵極接到上電復位信號上，熔絲FUSE的另外一端接到地。

優選的，反相器INV1的輸入接到PMOS管M2和PMOS管M1的漏端，輸出接到PMOS管M2的柵端，反相器INV2的輸入端接到INV1的輸出端，INV2的輸出電壓為熔絲修調電路的輸出電壓。

本發明的技術效果和優點：該應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案，通過增加很少數量的PMOS管實現了一種超低功耗的熔絲修調電路，只有在上電復位瞬間時會有5uA的瞬態電流，平均功耗幾乎為零，傳統的熔絲修調電路在熔絲未熔斷時，會存在漏電流，這個漏電流在超低功耗數模混合電路中是不能接受的，相對傳統的熔絲修調電路具有超低功耗的特點，非常適合于超低功耗數模混合電路的應用。

附圖說明

圖1為本發明的熔絲傳統修調電路圖；

圖2為本發明的熔絲修調電路圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明提供了如圖1-2所示的一種應用于超低功耗數模混合電路的熔絲修調方案，包括PMOS管M1和PMOS管M2，反相器INV1和反相器INV2，以及一個熔絲FUSE。

具體的，PMOS管M1和PMOS管M2的源極連接到電源VDD上，漏極連接到熔絲FUSE的一端，PMOS管M1的柵極接到上電復位信號上，熔絲FUSE的另外一端接到地。

具體的，反相器INV1的輸入接到PMOS管M2和PMOS管M1的漏端，輸出接到PMOS管M2的柵端，反相器INV2的輸入端接到INV1的輸出端，INV2的輸出電壓為熔絲修調電路的輸出電壓。