[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于超低功耗數(shù)?；旌想娐返娜劢z修調(diào)方案在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811553347.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109714039A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭桂良 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京中科銀河芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/003 | 分類號(hào)： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 100039 北京市海淀區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熔絲 超低功耗 數(shù)?；旌想娐?/a> 反相器 輸出電壓 電路 上電復(fù)位信號(hào) 應(yīng)用 源極連接 傳統(tǒng)的 輸出端 輸入端 漏端 漏極 柵端 電源 輸出 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種應(yīng)用于超低功耗數(shù)?；旌想娐返娜劢z修調(diào)方案，其特征在于：包括PMOS管M1和PMOS管M2，反相器INV1和反相器INV2，以及一個(gè)熔絲FUSE。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于超低功耗數(shù)模混合電路的熔絲修調(diào)方案，其特征在于：PMOS管M1和PMOS管M2的源極連接到電源VDD上，漏極連接到熔絲FUSE的一端，PMOS管M1的柵極接到上電復(fù)位信號(hào)上，熔絲FUSE的另外一端接到地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于超低功耗數(shù)模混合電路的熔絲修調(diào)方案，其特征在于：反相器INV1的輸入接到PMOS管M2和PMOS管M1的漏端，輸出接到PMOS管M2的柵端，反相器INV2的輸入端接到INV1的輸出端，INV2的輸出電壓為熔絲修調(diào)電路的輸出電壓。
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